공주대 반도체제조공정 중간고사 족보
- 최초 등록일
- 2011.11.08
- 최종 저작일
- 2011.10
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소개글
공주대학교 공과대학 반도체제조공학 시험자료 100점 요약정리 입니다.
목차
불순물 반도체
▶분석장비
▶진공의 이익
▶전체적인 웨이퍼 공정
본문내용
불순물 반도체
-doping하는 원소에 의하여 구분
캐리어가 정공인 p형 반도체
캐리어가 전자인 n형 반도체
-캐리어의 종류
최외각전자가4보다 작을 경우 p형반도체
최외악전자가4보다클 경우 n형 반도체
-p형 반도체: B
-N형반도체 :P,As,Sb
2주차
▶수동소자(passivecomponent structures): 극성에 관계없이 동일하게 기능 저항,캐패시터 ic resistor, ic capacitor
▶능동소자(active component structures) : 극성에 따라 다른 전기적 특성 다이오드, 트랜지스터 the pn junction diode
[(1)bjt(bipolar junction transistor): 전류구동, 소수캐리어 디바이스 때문에 느리다.
(2)fet(field▶effect transistor):전압구동,축적시간이 없고 온도에 영향도 적어 고속스위칭 가능
(3)두개 핀구조: collector▶drain, emitter
▶source,base▶gate]
(4)cmos(complementary metal ▶oxide
semiconductor):p 채널의 MOS 트랜지스터와 n 채널의 그것을 서로 절연하여 동일 칩에 만들어 넣어 양자가 상보적으로 동작하도록 한 것.
▶MOSFET=Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor =금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터=게이트 드레인 소스 바디의 4단자로 이루어져 있으며, 게이트에 전압을 인가했을 때, 생성되는 채널이 전자 혹은 정공에 따라 MOS의 타입이 결정.
참고 자료
없음
