아주대학교 전자회로 퀴즈자료

*성*

최초 등록일: 2018.10.31
최종 저작일: 2015.09; 3페이지/ 어도비 PDF; 가격 1,500원

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1. (15점) Silicon에 5족인 arsenic ND=5´1014/cm3 주입 하였다. (intrinsic carrier density of silicon ni = 1×1010/cm3 at 300oK) l (5점) 0K에서 ni, n, p를 구하여라 (단위: #/cm3)
(5점) 300K에서 n, p, 반도체 type를 구하여라 (단위: #/cm3)
(5점) 700K에서 n, p, 반도체 type를 구하여라 (ni = 1×1018/cm3 가정 at 700K, 단위: #/cm3)
(13점) 아래의 silicon에 5족인 phosphorus ND=5´1014/cm3 주입 되었다. (intrinsic carrier density of silicon ni = 1×1010/cm3 at 300K, mn=1360cm2/V-s, mp=460cm2/V-s, q=1.6´1019C) l (5점) E-field의 방향, E-field의 값을 구하여라 (V/cm) (5점) Electron과 hole의 속도를 구하여라 (cm/s)
l (3점) Electron의 흐름방향, Jn의 방향, In의 방향을 표기하시오

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