[반도체소자공학 시험 족보] A+ 학점 취득 확정

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IC 공정기술

1) Thermal Oxidation
산소는 Stagnant Gas Layer를 따라 이웃한 Oxide Surface에서 확산하고, 와 사이의 반응이 일어나는 실리콘 표면에 남아있는 Oxide Layer를 통해 확산한다. 이 Oxide는 MOSFET에서 Insulating Gate로 사용되고, 소자간의 Field Oxide로 사용 된다.

2) Photo Lithography
mask 상의 opaque한 영역은 자외선 흡수 물질로 만들어진다. Photoresist는 UV에 노출되면 화학적 변화를 보이는 유기 화합물이다. 노광된 후 Photoresist는 화학적 용해상태에서 현상되는데, 현상을 통해서 원치 않는 부분을 제거하여 실리콘의 적절한 패턴을 형성한다.

3) Etching
Photoresist의 pattern이 형성된 후 남아 있는 Photoresist는 Mask로 이용되고, 덮여 있지 않은 물질은 Etching 된다.

4) Diffusion
Diffusion은 impurity 형태의 특수한 원자를 실리콘에 주입하는 공정으로, 이를 통해 pn Junction이 형성된다. 산화 공정 후, Wafer를 약 1100℃의 도가니에 놓고 B나 P 같은 Dopant atoms를 주입하면 밀도 기울기에 의하여 실리콘 내로 확산하고 웨이퍼를 도가니에서 빼내어 상온으로 식혀주면 Impurity의 Diffusion Coefficient가 0이 되면서 실리콘 내에 고정 된다.

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