[시험자료] 반도체 공정 및 응용 기말고사 정리 (족보)

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본문내용

1. Diffusion과 ion implantation 원리에 대하여 설명하세요.
● Diffusion은 고온으로 불순물 원자를 실리콘 결정으로 이동시키는 과정이다.
● ion implantation은 고전압 이온 폭격으로 불순물 원자를 실리콘 결정에 주입하는 과정이다.

2. Diffusion과 ion implantation의 차이점을 비교하여 설명하세요.
● Diffusion은 고온에서 isotropic 하게 불순물 도핑되고 junction depth를 컨트롤 하기 어렵다.
● ion implantation은 저온에서 Anisotropic 하게 불순물 도핑되고 junction depth를 컨트롤 하기 쉽다.

3. Atomic diffusion의 세 종류에 대하여 설명하세요.
● Substitutional diffusion: 격자내 공석들로 불순물이 이동하는 확산
● Interstitialcy mechanism: Si 원자를 불순물 원자가 대체하는 확산
● Interstitial diffusion: Si 원자를 불순물 원자가 대체하지 않고 원자 사이의 공간으로 확산

4. Solid solubility limit이란 무엇이며, 가장 높은 불순물 하나를 쓰세요.
● Solid solubility limit: 주어진 온도에서 Si에 의해 흡수 될 수 있는 불순물 양의 상한선
● Arsenic (As)

<중 략>

41. IC die를 패키지에 접합 (attachment)하기 위하여 가장 많이 사용하는 소재는 무엇이며, alumina나 silver particle를 섞는 목적이 무엇인가요?
● 에폭시
● alumina는 열전도를 증가시키고 silver particle은 die와 패키지 사이의 열 및 전기 저항을 감소시킨다.

42. 사용의 편리성과 낮은 가격 때문에 가장 많이 사용되고 있는 오래된 IC 패키지의 이름은 무엇인가요?
● Dual-in line package (DIP)

참고 자료

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