실습8. MOSFET Current Mirror 설계_에이쁠_예비보고서

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목차

3.1 단일 Current Mirror 설계
3.2 Cascode Current Mirror 설계

본문내용

3.1 단일 Current Mirror 설계

Data sheet에서 보통 VGS(th)=2.1V이고,
VGS=4.5V이고 VDS>VGS인 상황 즉, Saturation에서 MOSFET가 작동할 때
ID(ON)=600mA를 가진다는 것을 이용하자.
Saturation에서 ID=0.5*kn’*(W/L)*(VOV)2 이고 위의 값들을 대입하면,
600*10-3=0.5*kn’*(W/L)*(4.5-2.1)2
0.5*kn’*(W/L)=(600*10-3)/(4.5-2.1)2=0.104A/V2
∴ 0.5*kn’*(W/L) =0.104A/V2
(B)
M2가 saturation mode에서 작동하면
10*10-3=0.104*(VGS-Vt)2 이므로 Vt=2.1V를 대입하면
∴ VGS=2.41V
또한 VGS=10V-R1*10mA이므로
R1=(10-2.41)/10-2=759옴
∴ R1=759옴

참고 자료

없음