화학합성개론 A+받은 의견서 -CVD공정

소개글

"화학합성개론 A+받은 의견서 -CVD공정"에 대한 내용입니다.

목차

1.서론
2.소개
3.박막증착
4.CVD
5.CVD 공정의 3요소
6.진공
7.CVD 공정 원리
8.CVD 공정의
9.특징 및 장점
10.CVD 공정 단점
11.CVD
12.최신동향
13.결론

본문내용

이번 수업시간에서는 화학적 기상증착법에 대해 알아보았고, 박막에 대해 자세히 살펴보았습니다. 이에 따라 이번 의견서에는 CVD 공정과 박막을 관련지어 다양한 논문과 관련자료를 참고하여 공부해보았습니다.

박막공학과 기술은 박막이 반도체 제조에 중요하기 때문에 현재 중요산업으로 성장되어 왔고 많은 연구의 대상이 되어오고 있습니다. 그러한 박막은 물리기상 증착과 화학기상 증착 등의 다양한 방법으로 성장하였습니다.

여기서 ‘증착’이라는 의미와 ‘박막’이라는 의미는 무엇일까요?

우선 증착이란 ‘쌓아올린다’라는 의미를 갖고 있는데요. 즉, 디스플레이 공정에서 반도체 기판에 박막을 성장시키는 것을 의미합니다. 그러므로 기판에 계속 증착하게 되는 것이죠. 다음으로 박막은 유리, 세라믹 또는 반도체 등의 기판위에 형성된 매우 얇은 피막을 의미합니다.

이처럼 형성되어진 박막은 어떤 형태로든 최종적으로 기판에 남아 제품의 신뢰성에 관여하게 됩니다. 그러므로 현재 표면 위로의 물질의 수송과 증착에 있어서의 과정에 대한 근본적인 이해와 정교적인 기술개발을 통해 박막증착이 개선되어지고 있는 것이죠.

이러한 박막증착방법 중에서 무엇보다도 cvd가 널리 쓰리고 있는데 이에 관해 자세히 공부해보았습니다.

우선 CVD란 증착될 물질의 원자를 포함하고 있는 기체상태의 화합물을 이 기체가 반응을 시킬 수 있는 환경을 갖는 반응실로 유입하여 화학적 반응에 의해 박막이나 애피층을 형성하는 방법입니다.

그렇다면 CVD로 인해 형성된 박막의 성질은 어떤 것에 영향을 받을지 어떻게 영향을 미칠지 궁금해졌습니다.

CVD로 얻어지는 박막의 물리적 성질은 증착이 일어나는 기판(비정질, 다결정, 결정)과 온도, 증착속도 등의 증착조건에 의해 결정됩니다.

참고 자료

없음