이공계기술PT면접(2016하반기)-[404]3차원 수직구조 낸드(3DV-NAND)플래시 메모리

소개글

2016 하반기 대기업 PT 면접 중 이공계 기술 PT 면접으로서 과거 기출 문제임과 동시에 계속 출제가 유력한 예상 PT 면접 주제임.
전공분야: 반도체 공학, 전자 공학, 전기공학, 정보통신공학, 재료공학, 신소재공학 등
지원분야: 연구개발(D램, 시스템 반도체, 무선, 모바일, 디스플레이 등)
지원기업: 삼성전자, SK하이닉스

목차

없음

본문내용

I. 미세 공정의 한계
인텔이 주도하던 반도체 미세공정 기술이 10나노 시대에 접어들면서 삼성전자등이 인텔을 따라잡을 수 있는 기회가 생겼다. 바로 핀펫(FinFET) 기술 덕분이다.기기가 작동하지 않을 때도 반도체에서는 누설 전류가 발생한다. 문제는 TR 선폭이 미세할수록 누설 전류량이 늘어나는 점이다. 반도체 업체들은 하이K 메탈 게이트 (HKMG) 등 신소재로 20나노대 미세공정까지는 누설 전류 문제를 어느 정도 해결 할 수 있었지만, 10나노대 미세공정에서 벽에 부닥쳤다.
 
이 문제를 해결하고자 고안된 기술이 바로 핀펫이다. 핀펫은 3D 입체 구조로 시스템 반도체를 설계, 생산하는 기술을 말한다. 입체 구조로 돌출된 트랜지스터 모양이 상어 지느러미(Fin)와 비슷해 핀펫으로 불리게 됐다. 핀펫 기술을 적용하면 종전 2차원 게이트의 절반 수준 전압에서 작동이 가능하고 누설 전류량도 훨씬 줄어든다.