삼성전자 파운드리 공정설계 직무 최종합_면접 공부 자료(반도체 면접 공부 자료)

소개글

삼성전자 파운드리 공정설계 직무 면접 공부 자료(반도체 면접 공부 자료)입니다. (해당 자료 참고하고 공부하면서 최종합격까지 했습니다.)

목차

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본문내용

MOSCAP(Metal Oxide Semiconduct Capacitor)
1) MOSCAP 설명
MOS구조는 MOSFET에서 수직 방향 전계, Channel을 형성하고, Threshold Voltage를 결정하는 역할을 하며, MOSCAP은 Gate Voltage에 따라 Accumulation(축적), Depletion(공핍), Inversion(반전) 3가지 상태를 가집니다. NMOS를 기준으로 Gate에 음의 전압을 인가하면 p type 기판의 다수 캐리어인 hole이 oxide와 기판의 계면에 축적되면서 accumulation mode가 되며, 양의 gate 전압을 인가하면 다수캐리어인 hole이 계면으로부터 멀어지게 되고 space charge만 존재하는 depletion region이 생성되어 depletion mode라고 합니다. 이후 더 강한 양의 전압을 인가하게 되면 공핍여역의 width가 확장되어 최대가 되고 Gate 전압 증가에 따른 space charge가 따라가지 못해 소수 캐리어인 전자가 계면에 쌓이게 되어 기판 농도와 동일 수준의 inversion charge가 형성되면 inversion layer인 channel을 형성하고 이 때를 inversion mode라고 합니다.

2) Inversion mode 심화 설명
Inversion mode는 Weak inversion과 strong inversion 두 가지 경우가 있는데, Weak inversion은 1/2Vt와 Vt 사이의 양의 전압 인가 시 기판 표면의 전자 농도가 기존 기판의 전자 농도보다는 높지만 majority carrier보다 작은 상태인 weak inversion 상태가 되며, 해당 상태에서는 C-V Curve가 감소하는 그래프를 가집니다. Strong inversion은 Vt보다 높은 양의 전압을 인가 시 기판 표면의 전자 농도가 기판의 hole 보다 높아진 상태이며, 이 상태에서는 측정 Frequency에 따라 그래프가 달라집니다. 저주파인 경우 계면에 전하가 축적되면서 유전막의 두께가 얇아지는 것과 같게 되면서 C=A/d 관점에서 Capacitance값이 증가하며 축적모드의 Capacitance의 최대값으로 saturation되며, 고주파인 경우 소수캐리어가 반응하기 어려워 space charge에 의한 capacitance 값이 지배적이게 되어 증가하지 않게 됩니다.