새만금 배수갑문 수위조절 특성과 염생식물 군락지 형성에 관한 연구

서지정보

ㆍ발행기관 : 한국환경생태학회 ㆍ수록지정보 : 한국환경생태학회지 / 24권 / 2호
ㆍ저자명 : 신명호, 김창환

한국어 초록

2006~2008년 동안 새만금 간척지에서 조성된 인공 염생식물 군락지와 새만금 방조제 배수갑문 수위 관리의 연관성을 밝히기 위해 배수갑문 수위특성 및 사유, 염생식물 군락지의 공간적인 분포와 형성 과정, 수위변화에 따른 염생식물 분포공간분석을 시도하였다. 배수갑문 수위조절의 특성을 분석한 결과, 파종 후 생장기의 평균수위와 연평균 수위와의 차이는 유사했으며, 연간 최저수위 및 최고수위가 파종 후 생장기에 나타났다. 3년동안 4,315만m2에 염생식물 군락지가 형성되었으며 총 2,673만m2에 대해 인공적인 염생식물 군락 조성이 시도되어 291만m2을 제외한 표고 약 1m 이상의 2,382만m2(89.1%)에 염생식물 군락지가 형성된 것으로 추정되었다. 파종지역 염생식물 군락지 형성에서 해수의 평균수위나 최저수위보다도 최고수위가 결정적인 요인으로 작용하였으며, 경운 및 토양 피막 여부가 군락지 형성의 2차적인 요인으로 작용한 것으로 보인다.

영어 초록

In order to examine the traits of sluice gate water control, halophyte community formation and their inter-relations in Saemangeum, both water level condition and halophyte community formation were analyzed periodically and spatially on the topographic map with Surfer, Saemageum Spatial Analysis System, and related field reports. The traits of water level condition are that average water level in the growing period of halophytes was similar to annual average water level, annual low level and high level appeared in the growing period, and water level was usually maintained within a range of -1.0m~0.5m above mean sea level, but it has changed more frequently year by year. Routine water level control, natural disaster prevention, construction, and civil appeal took major percentages of the reasons for sluice gate's opening and shutting. Since 2007, not only the overall control frequency of sluice gate but also its control frequency for construction and natural disaster prevention have increased outstandingly. Halophyte community had formed at a rate of 1,209ha/year in the 4,315 ha land in 2008, 6.3 times larger than in 2005, and 2,382 ha above around 1.0m was estimated to be artificially vegetated, 89.1 % of the 2,673ha-size sown area. High water level was found to be a more possible determinant than average water level or low water level in halophyte community formation and it was thought to be secondary factors whether tillage was conducted or/and whether surface sealing formed.

참고 자료

없음