박막증착 (박막공정)

소개글

박막증착의 정의, 분류, CVD, PVD 등과 관련하여 각 개념과 그림, 원리에 대해

설명한 레포트입니다.

목차

박막증착 개요

CVD - 1. APCVD
2. LPCVD
3. PECVD

PVD - Sputtering
- MBE (Molecular Beam Epitaxy)
- 진공증착
- 이온 플레이팅(Ion Plating)

본문내용

반도체 소자나 집적회로의 제작에는 많은 종류의 박막(Thin film)이 증착된다. 증착이란 진공 중에서 코팅시키고자 하는 물질을 기화 또는 승화시켜서 원자 또는 분자 단위로 기판 표면에 응고되도록 함으로써 피막을 형성시키는 방법으로 성장효율과 피막의 순도를 향상시키기 위해서 대개 진공 중에서 이루어진다.

박막 증착은 도금 물질계 및 응고 방법에 따라 물리증착 (physical vapor deposititon : PVD)과 화학증착(chemical vapor deposition: CVD)으로 나뉜다. 물리 증착은 증발(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 이온 플레이팅(ion plating), 아크증착(arc deposition), 이온 빔 보조증착 (ion beamassisted deposition) 등으로 나눌 수 있고, 화학 증착은 APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition), LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced CVD) 등으로 세분하여 방법상으로 분류되어진다.
또한 박막 증착은 플라즈마(Plasma)를 사용하는가에 대한 유무에 따라 분류해보면 앞에서 얘기한 CVD중 PECVD(Plasma Enhanced CVD)와 Sputtering, ion plating 의 경우에 플라즈마를 이용한 박막 증착방법이다. 제4의 물질이라고도 하는 플라즈마는 기본적으로 기체보다 더 큰 에너지를 가진 물질로서 기체에 많은 에너지를 가하면 기체 속 원자들이 이온화가 된다. 이 중 Sputtering의 경우 타겟에 박막의 원하는 물질 넣어주고 챔버 위에 이를 증착시킬 기판을 놓아둔다. 이러한 과정이 끝나면 플라즈마는 이 타겟을 때려주고 타겟이 플라즈마로 인해 타격되면 타겟의 물질들이 플라즈마와 함께 날아가면서 기판에 붙어버린다. 즉 타겟을 때려서 그 타겟물질은 물리적인 힘에 의해 튕겨나가고 이러한 물질은 물리적인 힘에 의해 가속하게 되며 가속되어진 타겟 물질은 기판에 달라붙으면서 박막을 형성하게 되는 것이다.

참고 자료

없음