BJT의 이미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스
- 최초 등록일
- 2009.05.10
- 최종 저작일
- 2008.12
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소개글
전자회로 실험 레포트 입니다.
A+ 받은 자료입니다.
실험에 있는 배경이론과 핵심이론, 고찰로 구성되어 있습니다.
잘 쓰시기를 바랍니다.
목차
1. 실험목적
2. 이론
3. 사용기기 및 부품
4. 실험순서
본문내용
1. 실험목적
이미터 바이어스와 콜렉터 궤환 바이어스회로의 직류 동작점을 결정한다.
2. 이론
(1) 직류베타()와 직류알파()
직류베타는 컬렉터 전류 와 베이스전류 와의 비로 정의되며 트랜지스터의 직류전류이득이다.
컬렉터전류 대 이미터 전류 의 비는 직류알파()이다.
(2) 컬렉터 궤환회로
림에서 컬렉터-베이스-이미터로 이루어진 루프에 KVL을 적용하면 다음과 같다. 가 되고,
, 가 된다. 우측 그림에서 컬렉터 저항 의 궤환 작용을 보면. 어느 순간에 주변 온도 등으로 인한 외부의 영향으로 이미터 전류 가 증가했다고 가정하면 컬렉터 전압 는 다음의 관계에 의해 감소된다. 이에 따라 베이스 전류 도의 관계에 의해 감소한다. 그 결과 이미터 전류 로 감소되어 처음의 증가분이 상쇄되는 쪽으로 유도 되므로 바이어스는 안정 적으로 유지되는 것이다. 컬렉터-궤환 바이어스의 또 하나의 장점은 트랜지스터가 절대로 포화되지 않는다는 점이다. 즉 우측 그림에서 컬렉터-베이스 전압이 로 항상 0보다 크므로 가 되어 는 보다 항상 크기 때문이다.
(3) 이미터 바이어스
그림 4.17 회로의 베이스-에미터 루프는 그림 4.18과 같이 다시 그릴 수 있다. 시계 방향으로 표시된 루프에 키르히호프의 전압 법칙을 적용하면 다음의 결과를 얻을 수 있다.
여기서 가 되므로 이식을 위의 식에 대입하면 같은 항으로 정리하면 다음과 같은 결과를 얻을 수 있다. 양변에 -1을 곱하면
에 관해서 풀면 다음과 같은 결과를 얻는다.
이 식은 고정 바이어스회로에서의 식과의 차이는 밖에 없다. 이 식에 대해 같은 식으로 표현되는 직렬 연결회로를 그리면 4.19와 같은 결과를 얻을 수 있다. 이 회로에서도 에 관해 풀면 위와 같은 식을 얻을 수 있다. 저항 가 인자에 의해 회로에 반영된 것을 볼 수 있다. 다시 말하면 컬렉터-에미터 루프의 한 부분인 에미터 저항이 베이스-에미터 루프를 통해서 보면 처럼 보인다.
참고 자료
-. 전자회로실험, Boylestad, 인터비젼, 2006, 101-111p
-. Electronic Devices and Circuit Theory 8th, Robert, Prentice Hall, 2002, 1-3p, 189-211p
-. 마이크로전자회로 5th, Sedra, 한티미디어, 2008, 392-406p, 436-443p
-. http://www.alldatasheet.com/, 데이터 시트
-. http://holo.khu.ac.kr/~ysjun/, 데이터 시트