디스플레이 물성및재료 반도체 제조공정 디스플레이 제조공정11

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전기전자 디스플레이 물성및재료 반도체 제조공정 디스플레이 제조공정

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본문내용

1. CMP란..??
연마해서 웨이퍼 표면을 평탄하게 만들어 주는것.
촉진제(chemical)를 연마장치(Mechanical)에 공급하면서 연마(polishing)를 진행하는 과정.

2. CMP에 기본구성이 되는 장치는..??
A. Wafer Head : Wafer를 보유하면서 회전/가압
B. 연마 Pad : Wafer 표면을 직접 적총하는 신축성 있는 연마표
C. 연마제(slurry) : SiO2 를 주성분으로 하는 연마용액
D. Pad Conditioner : Pad 표면 상태를 초기 상태로 유지시켜주는 장치

3. CMP의 기본원리..??
연마제에 의한 화학반응효과, 연마장치의 압력/회전에 의한 기계적 효과를 결합하여 Wafer 표면을 평탄화하는 공정이다.

4. CMP의 필요성..??
최근 반도체 소자의 회로선폭이 미세화 됨으로써 충분한 패턴 정밀도를 얻기위해 25um 이하의 최신 반도체 제조공정에 필수적이다.

5. CMP 공정의 역할..?
A. STI CMP Process
: 소자와 소자사이의 절연층 형성을 위한 평탄화 공정
B. PMD CMP Process
: 소자와 금속 라인 사이의 절연층 형성을 위한 평탄화 공정
C. IMD CMP Process
: 금속라인과 금속라인 사이의 절연층 형성을 위한 평탄화 공정
D. W CMP Process
: CVD W 증착 이후 Via Hole 외부의 불필요한 W 제거를 위한 공정
E. Cu CMP Process
: Metal CMD 와 동일하퇴 기존의 Metal 대신 구리(Cu)를 사용하여절연층 형성을 위한 평 탄화 공정

참고 자료

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