기초전자회로실험/남춘우/2001년/실험8. 쌍극성접합 트랜지스터(BJT) 특성 예비보고서.

소개글

기초전자회로실험/남춘우/2001년/실험8. 쌍극성접합 트랜지스터(BJT) 특성 예비보고서.

시물레이션은 Pspice를 사용하였습니다.
가능한 모든 시물레이션을 해노았습니다.

목차

1. 실험목적
2. 이론
3. 사용기기 및 부품
4. 실험순서
5. 참고자료

본문내용

위에가 BJT하고 그 밴드그림인데요. (좀 그리느라 애먹었네요... )위 그림만 이해하면, 별로 볼게 없습니다. 사실 FET도비슷합니다. 위에 그림은 NPN BJT인데요. 밴드가 저렇게 그려진다는 것은 설명하지 않겠습니다. 보시면, 크게 두개의시스템으로 분리해서 생각할 수 있습니다. 앞서 트랜지스터 개요에서 말씀드렸듯이, 이미터(E)와 베이스(B) 연결과,베이스(B)와 컬렉터(C) 연결이 있습니다. VEB를 0이라고 하고, VCB를 어느 정도 줬다고 생각해보죠. 저것은 역방향 바이어스 이므로 전류가 흐르지 않습니다. 아니 흐르긴 흐르는데, P형쪽 열적 전자의 드리프트에 의해서 미세한 역포화 전류가 흐릅니다(다이오드에서 봤었죠? ^^) 그런데... 만약 VEB를인가해주면... 이미터의 전자가 베이스로 가는데 방해가 되던 전위장벽을 낮추는 효과를 냅니다. 그러면 이제 베이스 쪽으로 전자가더 많이 넘어갈 수 있고,  이 전자들이 컬렉터로 드리프트를 합니다. 그래서, 컬렉터 전류가 상승하게 되는 것입니다. VEB는 아주 작은 값이라고 하더라도, 베이스로 전자를 밀어주기 위해서, 필요한 전위장벽만큼의 에너지는 충분히 극복이 가능하고, 베이스에 도달한 전자들은 빠르게 드리프트하여, 컬렉터쪽으로 넘어가는 것이죠.
트랜지스터가 증폭을 한다라는 의미는 이미터(E)와 베이스(B)의 VEB를 조금만 가해서, 전자를 P형(베이스)로 밀어줬더니... 그것들이 다시 N형(컬렉터)로 넘어가면서, 기존에 VEB가 없을 때, 역포화 미세전류에 불과했던 것이, 크게 상승한다는 의미입니다. 아그리고... 이미터에서 베이스로 넘어온 전자들은 베이스에 넘쳐나는 정공과 재결합을 하는 문제가 있어서, 실제 들어온 녀석들이많은 부분 사라집니다. 그러면 효율이 떨어지는 것인데요... 이것을 보완하기 위해서 베이스의 폭을 아주 줄여버립니다. 이것을쉽게 말하면... 수영을 못하는 사람이... 100미터는 헤엄치지 못하겠지만... 5미터 정도 헤엄치라고 하면... 아등바등어떻게든 지나갈 수 있겠죠? 바로 그런 원리로 베이스 폭을 줄이면 대부분의 전자들이 살아서(?) 컬렉터로 들어갈 수 있게 되는겁니다. 실제적으로 마이크로 미터 이하라고 하는군요

참고 자료

- 기초 전자회로 실험, 남춘우 역. micro electronics(전자회로)
- 위키백과, 네이버 지식인 /

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