식각 바막 결과 보고서

소개글

웨이퍼를 식각한 순서와 결과 내용

목차

1. Si substrate 생성
2. 산화공정
3. Photoresist(감광액, PR) 도포
4. Lithography 공정
5. 노광(Exposure)
6. 현상(Development)
7. 식각(etching)
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본문내용

1. Si substrate 생성
단결정 성장 및 경면 연마를 통해 Si substrate를 얻는다.
Si substrate
SiO2
2. 산화공정
고온(800~1200C) 에서 산소나 수증기를 웨이퍼 표면에 뿌려 산화막(SiO2)을 형성하는데, SiO2가 증착하는 정도(두께)에 따라 색깔이 달라진다.
Si substrate
SiO2
PR
3. Photoresist(감광액, PR) 도포
감광액을 웨이퍼 표면에 고르게 도포시킨다.
빛을 비추면 negative PR(강화)과 positive PR(약해짐&없어짐) 이 생긴다.
Si substrate
SiO2
PR
UV
mask
4. Lithography 공정
식각 하고 싶은 부분과 분리하기 위하여, 회로 패턴이 그려진 마스크를 웨이퍼 위에 얹은 다음, 조준을 하여 강한 자외선을 통과 시킨다.
Si substrate
SiO2
PR
5. 노광(Exposure)
자외선은 PR과 반응하여 마스크의 회로 패턴을 웨이퍼에 나타낸다
Lithography가 끝난 후, hard bake를 함으로써 단단하게 만들어진다.
Si substrate
SiO2
PR
6. 현상(Development)
현상액을 웨이퍼에 뿌리면 노광 과정에서 빛을 받은 부분과 받지 않은 부분이 구별이 되고, 빛을 받지 않은 부분의 현상액만 남아 있게 된다.
Si substrate
SiO2
PR

참고 자료

없음