1.MOSFET 전압-전류 특성

소개글

3학년 2학기 실험 내용으로 워드로 직점 작성하고 책 그림을 스캔해서 작성하였습니다
피스파이스 역시 직접 짜고 시뮬돌려서 첨부했습니다.
보고서 점수 만점받은 레포드입니다.

목차

1. 목 적
2. 이 론
3. 실험계기 및 부품
4. 실 험 방 법
5. 참 고 문 헌
6.Pspice 회로&결과

본문내용

1. 목 적
금속-산화막-반도체 전계 효과 트랜지스터 (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor : MOSFET)의 드레인 전류에 대한 드레인-소스 전압의 효과와 게이트-소스 효과, 드레인 전류와 게이트-소스 전압 사이의 관계를 알아본다. 시뮬레이션과 실험을 통하여 MOSFET와 JFET의 차이를 이해하는데 그 목적이 있다.

2. 이 론
1. MOSFET
MOSFET는 실제적으로 1970년대에 구형된 소자이며 차후에 다룰 BJT에 비해 매우 작은 크기로 구현할 수 있고 또 전력소모도 적은 특징을 가지고 있다. 이러한 특징으로 인하여 MOSFET는 고직접 VLSI회로, 마이크로프로세서, 메모리 등 디지털 IC의 구현에 폭넓게 이용되고 있을 뿐 아니라 증폭기 회로를 대표로 하는 아날로그 회로 및 아날로그 IC에도 적극적으로 이용되고 있는 트랜지스터 소자이다.
MOSFET는 크게 증가형(enhancement type) MOSFET와 공핍형(depletion type) MOSFET의 두 종류로 구분할 수 있는데 전자는 채널을 형성시키고 앙 후에 동작이 가능한 특징을 가지며, 후자는 이미 채널이 형성되어 있는 상채에서 종작이 이루어지는 특징이 있다. 또한 채널의 종류, 즉 n채널이냐 p채널이냐에 따라서 MOSFET를 n채널 MOSFET, p채널 MOSFET로 구분한다.

1.1 n채널 증가형 MOSFET
MOSFET는 FET의 한 종류오서 금속-절연체-반도체(MOS) 구조에 의한 FET를 말한다. 그림에 MOSFET으 2차원 및 3차원적인 개념도를 나타낸다. 여기서 L은 채널의 길이, W는 채널의 폭을 나타낸다.
위로부터 짙은 푸른색부분은 금속단자, 빗 금친 부분은 절연체 SiO₂, 아랫부분은 반도체로서 금속-절연체-반도체의 MOS구조를 이루고

참고 자료

전자회로 사이텍미디어 김희준저