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기초실험예비-Diode 및 Zener diode의 특성

*미*
최초 등록일
2009.06.21
최종 저작일
2009.04
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소개글

기초실험예비-Diode 및 Zener diode의 특성에 대한 내용입니다.

목차

2. 실험제목
3. 실험목적
4. 실험준비물
5. 실험절차
6. 기본지식 및 관련이론

본문내용

2. 실험제목 : 실험 #9 Diode 및 Zener diode의 특성

3. 실험목적 : Diode 및 Zener diode의 전류, 전압 특성을 이해한다.

4. 실험준비물 : 가변 dc 전원, 멀티미터, dc 전류계, 2W 270Ω, 1/2W 3.3㏀ 5W 500Ω, 1N4148 Si diode, 1N34A Ge diode,
1W 9V Zenner diode, ON/OFF 스위치

5. 실험절차
1. 주어진 Si 다이오드의 anode와 cathode단자를 확인하고, 아래와 같은 회로를 구성한다.
중략..

6. 기본지식 및 관련이론
▲ 문턱전압
전류가 갑자기 증가하기 시작하는 전압을 다이오드의 문턱전압이라 한다.
▲ 비선형 소자
다이오드는 비선형 소자이다. 0.7V 이하일 때, 다이오드를 흐르는 전류는 매우 적지만 0.7V를 넘는 순간 전류가 갑자기 증대한다. 이러한 동작은 전류가 전압에 직접 비례하여 증가하는 보통 저항과는 전혀 다르다. 그 이유는 다이오드는 공핍층에 의하여 형성된 전위장벽을 가지고 있기 때문이다.
▲ 역방향영역의 다이오드
역방향영역순방향영역역포화전류항복전압다이오드의 특성곡선문턱전압 다이오드가 역방향 영역이면 단지 약간의 누설전류만 흐른다. 다이오드의 전류와 전압을 측정하여 역방향 특성곡선을 그리면 아래 그림과 같다. 역방향 전압이 항복전압 이하이면 다이오드전류는 매우적다. 그러나 역방향 전압이 항복전압을 조금만 능가하면 전류는 갑자기 증대된다.

참고 자료

일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당

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