화합물 반도체(Compound Semiconductor)
- 최초 등록일
- 2009.06.29
- 최종 저작일
- 2008.06
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소개글
화합물 반도체에 대한 학부 레포트 입니다
목차
1. 정의.
2. Si반도체와의 차이점.
◆ 실리콘 반도체.
◆ Si 반도체와의 차이점.
3. 화합물 반도체의 특징.
4.종류
5. 제조공정 및 장비
6. 응용.
본문내용
1. 정의.
주기율표상의 Ⅲ-Ⅴ족 두 가지 이상의 원소의 화합물로 구성되는 반도체이다.
게르마늄이나 실리콘 같은 단일 소자가 아니라 2종 이상의 원소가 비교적 간단한 정수비로 화학적 결합에 의해 구성된 소자로서 작용 하는 반도체이다. 화합물 반도체는 일정한 조성으로 완전한 균일성 을 갖고 있으며 그 성질은 원래의 구성 원소 어느 것과도 다르다. 화합물 반도체의 대다수는 직접 천이형으로서 천이 확률이 크기 때 문에 발광 효율이 큰 것이 많다. 대표적인 재료로서 갈륨비소(GaAs) 주입형 레이저는 위의 특성을 잘 이용하고 있다. 또 발광 다이오드에 사용되는 인화갈륨(GaP)이나 탄화규소(SiC)는 간접 천이형이며, CuGaSe₂는 3원 화합물의 예이다.
Ⅲ−Ⅴ화합물 반도체⇒GaAs, InP, InAs, GaSb등
Ⅱ−Ⅳ화합물 반도체⇒Cds, ZnS, CdSe, ZnSe등
기타 화합물 반도체⇒SiC, SnO2, PbS등
또 2원 화합물만이 아니라, 3원(GaAsP), 4원(InGaAsP) 화합물도 있으며 고속논리소자, Iaser diode, LED로서의 이용가치가 크게 주목을 받게 되었다.
장차 이들 화합물반도체는 Si반도체와 대항할 정도로 큰 생산규모가 될 가능성을 내포하고 있다. 화합물반도체는 그 구성원소를 서로 규칙 바르게 정렬한 반도체결정으로 만들 수 있어 Si처럼 불순물을 첨가하면 P형, N형 반도체가 되기 때문에 고집적화도 가능하다.
화합물반도체의 단결정은 Si의 인상법과 거의 동일한 요령으로 제조할 수 있으나, 2종류 이상의 원소의 혼정이기 때문에 앞으로 많은 연구를 필요로 한다. 이 단결정은 대구경화가 어렵다.
화합물반도체는 화합물 원소의 융점 등, 그 특성에 차이가 있기 때문에 결정성장에는 특별한 연구가 필요하다.
화합물 반도체는 원소의 조합을 목적에 따라 변화시킴으로써 목적에 따른 여러 가지 종류의 화합물 반도체를 만들 수 있으며 실리콘반도체와는 달리 빛을 내고 동작속도가 매우 빠르기 때문에 전광판이나 전자제품의 전원램프에 사용되는 발광소자와 정보전달 속도가 매우 빠른 고속소자로 사용되고 있다.
참고 자료
http://www2.sekisat.com/board/index.php?path=board_view&no=200&tbl=board_satellite_pds&category_no=4&page=6
EIC 전자정보센터
http://www.yeskisti.net/ 과학기술정보 포털서비스