PN 다이오드공정설계

소개글

PN 다이오드공정설계

목차

1.설계목적

2.용어설명

3.설계과정

4.최종결과

5.결과

본문내용

1. 설계 목적
Process Simulator ATHENA와 Device Simulator ATLAS를 이용하여 PN 다이오드를 설계한다. 설계는 Leakage Current를 최대한 줄이는 방향으로 설계하고 이에따라 PN 다이오드의 구조와 도핑 농도등을 결정한다. 다이오드 설계 후 ATLAS를 이용해 V-I 특성 Curve 를 그려 봄으로서 Forward bias 에서의 Vth(~0.7)와 Reverse bias 에서의 Breakdown Voltage를 확인한다.

2. 용어 설명
① Leakage Current
기본적으로 반도체에서 Leakage Current 란 각 층간에 절연이 안되어서 절연층에 흐르는 전류를 말한다. 또한 PN Junction에서는 Active region이 아닌 기판으로 흐르는 전류를 말한다.
Leakage Current를 줄이기 위해서는 p- Si 기판위에 n-Epi 층을 쌓거나, n - well을 사용할 수 있다.
또한 소자사이의 절연을 위해 Oxide 층을 이용할 수 있다. (LOCOS, Trench Isolation )
② Epi Layer
p-si 기판위에 상대적으로 도핑 농도가 낮은 n-epi 층으로 역방향 PN 접합을 만들어 줌으로서 p-si 기판으로 Leakage Current 가 생기는 것을 방지 할 수 있다.
③ Trench isolation
소자간의 Oxide층을 이용해서 절연층을 만들때, LOCOS 공정을 이용하면 FOX 가 Epi층을 지나 p-si 기판까지 완벽히 절연시켜주지 못한다. 이를 해결하기 위해서 FOX 가 생길 부분을 미리 에칭해서 Oxide 층의 깊이를 두껍게 만드는 방법이 있는데 이를 Trench Isolation 이라한다.

참고 자료

없음