반도체 공정 및 장비 정리

소개글

반도체 공정 (전공정 후공정 테스트) 정리 및
해당 장비에 대한 정리 (업체정보 및 시장점유율 포함)

목차

Revision History
1.반도체 전공정의이해
1.1.반도체 전공정의 개요
1.2.반도체 전공정의 분류
1.2.1.공정단위에 따른 분류
1.2.2.공정기술에 따른 분류
1.3.Diffusion
1.3.1.Diffusion 공정의 개요
1.3.2. Diffusion 공정의 분류
1.3.3. Oxidation 공정
1.3.3.1. Oxidation 공정의 개요
1.3.3.2.산화막이 사용되는 주요 공정
1.3.4. CVD 공정

본문내용

로산 화열온 도 산공가화정 은높 공은 정아 이래산와화 주 로같분위이 이기 용두( 된O가2다지, H. 로2 O구) 분속된에다서. 실리콘 기판을 노출시켜 표면에 균일한 산화막을 건식산화(Dry oxidation): 반응기체로 순수한 산소를 사용하는 경우 (Si+O2 -> SiO2) 한 소 자절를습연 식재구산료성화로하(는 W사e 용실t o되리x고콘ida을 있ti o다이n)용. : 하산고소 와있 고수,증 두기께의 조 혼절합이물 쉬을워 사 실용리하콘는 소경자우 제(S조i+ 2공H정2-에>서 S iO가2장 + 유2H용2)

1.3.3.2.
산화막이 사용되는 주요 공정
Ion Implantation 및 Difusion에 대한 Mask3ing Layer
Silicon Surface에 대한 Pasivation4 역할
개개 소자의 분리 역할
MOS5 Device에서 Gate Oxide 및 Capacitor Dielectric6
Silicon 산화 외에 Polysilicon 혹은 Nitride 막의 산화

1.3.4. CVD공정
1.3.4.1.증착시키려는hemical Vapor Deposition) 공정의 개요
막을 Gas 형태로 웨이퍼 표면으로 이동시켜 Gas의 반응으로 표면에 막을 형성시키는 것을
CVD 공정이라 한다
C1)VD 박막의 조건
2)박막두께 및 성분의 Uniformity
3)박막과 기판의 adhesion 우수
4)고순도 유지
미세 패턴의 형성이 가능할 것(Step Coverage)

CVD 공정의 장점
1) 다양한 재료에 적용가능
2) 증착증의 성분조절 가능
3) 미세구조 조절 가능
4) 복잡한 형태위에 균일한 Coating
5) 고밀도의 증착증. Purity 조절 가능

참고 자료

10.1. 반도체 제조 공정 및 장비
KSIA 2001 반도체 장비 기술동향
현대전자 기초 반도체공학(상)
라디언테크 반도체 공정 자료
지엔피텍 CMP 자료집
하이닉스 Lithography 기술 전망 2003
반도체 제조장치 입문(성안당), 임종성, 2000
10.2. 후공정과 테스트
앰코코리아
하나마이크론

10.3. AMHS
다이푸쿠
신성이엔지
SFA
AMS

10.4. 장비별 시장현황
연합인포맥스(h2가00 141/1월2 /3002)일 에 발표한 ‘04년도 상반기 반도체장비 시장점유율 보고서”