박막재료의표면처리및식각실험(결과).

소개글

노출된 부분의 SiO2 식각

목차

1. Oxidation Layering
2. PR coating
3. Mask & Exposure
4. Develop & Bake
5. Etching
6. Clearing PR (Photoresist)
7. 2nd PR (Photoresist) Coating
8. Mask & Exposure
9. Develop & Bake
10. Etching
11. Clearing PR (Photoresist)
12. A process finish

본문내용

1. Oxidation Layering
2. PR coating
Deposit barrier layer SiO2
고온(800~1200℃)에서 산소나 수증기를
실리콘 웨이퍼 표면과 화학반응시켜 얇고 균일한
실리콘 산화막(SiO2) 형성시킴
Coat with photo resist (PR)
PR을 높은 회전수로 회전시켜 균일한 얇은 막의 형태로 기판 전체를 도포시킨 후 일정온도에서 baking하여 PR의 용제(solvent)를 기화·제거시켜 단단하게 만듦
3. Mask & Exposure
positive PR의 mask를 통한 패터닝 공정
Photo mask를 통해 UV을 조사함으로서 mask상에 형성된 미세회로 pattern을 coating된 PR에 전사
Positive resist : UV 에 노출되지 않은 부분이 남음
Negative resist : UV 에 노출된 부분이 남음
PR
*
4. Develop & Bake
노출된 부분의 PR 제거
Exposure 과정을 통해 상대적으로 결합이 약해져 있는 웨이퍼 위의 PR의 노출된 부분들을 산으로 혹은 기본 용액 등으로 제거
노출된 광막이 제거된 후에 남아있는 광막을 굳히기 위해서 웨이퍼를 낮은 온도(80도~100도)에서 구움
5. Etching
노출된 부분의 SiO2 식각
웨이퍼의 표면으로부터 선택한 부분의 물질을 제거하는 작업은 많은 다른 유형의 산 혹은 부식용액을 사용하게 됨
Dry etching (예:RIE-Ar, C2F6)를 사용하여 산화막과 같이 식각
※ Plasma etching
- Wet etching : Isotropic
- Dry etching : Anisotropic

참고 자료

없음