디스플레이 공정

소개글

디스플레이 공정의 기본을 파워포인트 21장으로 요약 설명하고 있습니다

목차

진공공정
디스플레이 및 반도체 전체공정
- 1)CVD - PECVD
- 2)PVD -Vacuum evaporation
- sputtering
리소그래피공정(Lithography Process)
1)식각 - Plasma etching

본문내용

▣진공공정
진공공정
< 반도체 제조장치에서의 진공 응용목적 >
▣디스플레이 및 반도체 전체 공정
디스플레이 공정을 이해하기 위해서는 웨이퍼 프로세스의 흐름을 알아야 한다.
< 웨이퍼 프로세스의 반복적 흐름>>
▣디스플레이 및 반도체 전체 공정
기본 프로세스 기술의 분류
▣디스플레이 및 반도체 전체 공정
박막공정기술
- 박막형성기술은 반도체 제조공정 중에서 가장 다양성이 풍부한 분야로서 그 장치도 방식과 원리에 있어 매우 다양
화 되어 있다.
박막형성기술이 중요한 이유
형성된 막이 그대로 디바이스 구조 중에 남아 있음
그 디바이스의 특성 양품률 신뢰성 등에 커다란 영향을 주기때문
▣디스플레이 및 반도체 전체 공정
박막형성법의 종류
▣디스플레이 및 반도체 전체 공정
Pvd법
Cvd법
-물리적 수법(증착 스파더)
-기관은 보통 실온, 가열도 가능하다.
-주로 금속, 도체막의 종류에 제약이 있음.
-진공장치를 이용함.
-막은 퇴적 되며 기관과의 밀착성은
뛰어나다.
-막은 치밀하고 스트레스가 크다.
-벌크에 가까운 막질이 생긴다.
-단차 피복성이 나쁘다.
-조성의 제어는 일단 곤란하다.
-화학적 수법(화학반응)
-기판은 가열된다.
-막질은 온도에 의해 좌우된다.
-절연막 금속,도체막,반도체막 등
모든것에 적용된다.
-플라즈마 cvd,감압 cvd의 경우는
진공을 사용한다.
-막은 퇴적및 표면 반응에 의해
형성 된다.
-밀착성은 파라미터에 따라 변한다.
-단차 피복성은 pvd보다 우수하다
-조성의 제어는 가스의 제거에 의해
가능하다.
Pvd법과 cvd법의 비교
▣디스플레이 전체 공정
Pvd법과 cvd법의 차이
▣ 진공증착
진공증착법

참고 자료

없음