mram의 구동원리및 소개

소개글

mram의 구동원리및 소개

목차

MRAM
1. MRAM의 개요
2. MRAM의 특성
3. MRAM 기술 개발의 현안
4. 국내외 연구동향
HDD media technology
1. HDD란?
2. HDD의 구조
3. HDD의 기록방식
4. HDD 헤드 제작 기술
5. 좋은 HDD의 조건

본문내용

1. MRAM의 개요

DRAM과 플래쉬 메모리의 장점 즉, 읽고 쓰는 속도가 빠르고 소비전력이 적으면서도 전원이 끊어져도 정보를 그대로 유지하면서도 그들의 단점을 극복할 수 있는 메모리가 바로 IBM에서 `74년부터 줄기차게 개발해 오던 MRAM이다 위에서 하드디스크와 메모리의 중간 형태라고 표현한 이유는 바로 이 메모리가 하드디스크의 정보를 기록하는 소재인 마그네틱 재료를 사용하고 있기 때문이다. MRAM의 아이디어 자체는 오래 전부터 나와 있던 것이지만 지금에서야 실현 가능해진 이유는 미세한 자기를 제어해야만 하는 TMR(Tunneling Maghetoresistance) 현상을 적용하기 때문이다. 이 메모리가 실현된다면 노트북의 Sleep Mode와 하이버네이션 간의 구분은 의미가 없어질 것으로 생각된다. 하이버네이션이란 메모리에 있는 정보를 보존하기 위해 하드디스크로 옮겨놓는 방법이다. MRAM은 속도가 빨라 메인 메모리로 사용되기에 무리가 없고 전원이 차단되어도 데이터가 소실되지 않기 때문에 하이버네이션 상태로 진입할 경우 메인 메모리의 데이터를 옮겨올 필요가 없다.




2. MRAM의 특성
2-1. 자화특성
MRAM은 자성재료를 이용하여 전원이 없어도 남아있는 자화(magnetization)를 통하여 정보를 기록하여 다시 전원이 들어왔을 때 이전의 정보기록을 바로 꺼낼 수 있는 기억소자이다. 1970년대에 페라이트 코어를 대형 컴퓨터에 사용하였으나 컴퓨터 소형화에 따라 다른 메모리로 대체되었다. 현재 자기메모리 소자는 자기저항(MR: magnetoresistance) 현상을 이용한 것으로서, 이방성 자기저항(AMR: anisotropic magnetoresistance)과 거대자기저항(GMR: giant magnetoresistance) 및 터널링 자기저항(TMR:· tunneling magnetoresistance) 현상 등을 이용한다.
(1) AMR과 GMRAM
AMR현상을 이용한 메모리 소자는 1980년대 중반에 처음 제작되었으며, 군사 및 우주용으로 현재 제한적으로 사용되고 있다. AMR을 이용한 MRAM(AMRAM)은 NiFe/TIN/NiFe의 3층막으로 구성되어 있으며, MR비는 2%정도이나 실제 소자에서 이용되는 MR비는 약 0.5% 정도로서 매우 낮다. 이처럼 낮은 MR 비는 소자의 밀도를 높이는데 큰 문제가 되고 있으며, 또한 소자의 속도를 느리게 하는 요인이 된다. 반면 GMR 및 TMR현상을 이용한 메모리 소자 (이를 각각 GMRAM 및 TMRAM 간략히 칭함)는 출력이 AMR에 비하여 매우 높아 AMRAM이 가지는 문제들을 근원 적으로 해결할 수 있을 것으로 기대되고 있다.
특히 1988년 GMR현상이 발견된 후 GMRAM에 대한 연구가 활발히 진행되었으며, AMRAM에 대한 경험을 가지고 있는 Honeywell과 Motorola를 중심으로 이루어져 왔다. 현재 Honeywell에 의하여 상용화되어 있는 GMR소자는 기존의 자기기록에서 사용되고 있는 다층막보다 구조가 간단한 pseudo spin-valve이다.

참고 자료

없음