비휘발성 메모리

목차

1. 이상적인 비휘발성 메모리
2. FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory)
3. MRAM
4. PRAM
5. PoRAM (Polymer RAM)
6. ReRAM (Resistive RAM) SET-RAM
7. NFGM (Nano Floating Gate Memory)

본문내용

1. 이상적인 비휘발성 메모리
최근 정보통신 산업의 눈부신 발전으로 인하여 각종 메모리 디바이스의 수요가 급증하고 있다. 현재 메모리는 크게 두 종류가 있는데 하나는 휘발성 메모리이고, 다른 하나는 비휘발성 메모리로 분류된다. 휘발성 메모리는 빠른 데이터 전송을 실현할 수 있는 반면 전원이 없으면 정보를 잃어버린다. 반면에 비휘발성 메모리는 전원이 없어도 장시간 정보를 저장할 수 있지만, 속도에 한계가 있다. 따라서 현재 대부분의 컴퓨터 시스템은 두 가지 메모리를 같이 사용하고 있다. 하지만, 현재 시장 규모가 빠른 속도로 커지고 있는 휴대용 단말기, 각종 스마트 카드, 전자 화폐, 디지털 카메라, 게임용 메모리, MP3 플레이어 등에 필요한 메모리 디바이스는 전원이 꺼지더라도 기록된 정보가 지워지지 않는 “비휘발성”을 요구하고 있다. 비휘발성 메모리를 이용하면 입력된 정보가 자동적으로 저장 될 뿐만 아니라 ROM (read only memory)의 내용을 바꾸어 쓸 수 있고, 전원을 끊더라도 정보가 지워지지 않으며 또한 전원을 넣었을 때 즉시 작동하는 TV 감각의 PC등을 구현할 수 있기 때문에 멀티미디어 사회에서 요구되는 다양한 조건들을 만족할 수 있다.

주지하다시피 현재 각종 전자기기에서 가장 많이 사용되고 있는 반도체 메모리는 DRAM인데, 이는 DRAM이 트랜지스터와 커패시터로 구성되어 구조가 간단할 뿐 만 아니라 고속으로 데이터의 쓰고 읽기가 가능하기 때문이다. 그러나 DRAM은 일정한 주기로 “기억 재생 (refresh라 부름)”을 하지 않으면 기록된 정보가 소실되는 큰 문제점을 가지고 있는데, 이 때문에 DRAM을 “휘발성 메모리”라 부르고 있다. 이러한 DRAM의 문제점은 정보저장의 수단으로 고정 전하나 전자 스핀의 방향성을 이용하는 것이 아니라, 빠른 속도로 움직이는 전자들의 공간 전하분극을 이용하기 때문이다.

DRAM이 가지는 메모리의 휘발성 결점을 극복하고자 EPROM, EEPROM, 플래시 등 여러 가지 메모리 디바이스들이 개발되어 왔는데, 이중에서 현재 상용화되어 있는 대표적 비휘발성 메모리 디바이스가 “

참고 자료

없음