[전자회로실험] MOSFET의 특성실험

소개글

[전자회로실험] MOSFET의 특성실험

목차

1. 제목
2. 목적
3. 기본이론
4. 실험방법

본문내용

1. 제목
․ MOSFET의 특성 실험
2. 목적
· MOSFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선
과 전달특성곡선을 결정한다.
3. 기본이론
․ FET는 채널로부터 절연된 게이트 단자를 가지고 있는 구조(→대표적 MOSFET)
․ 공핍형(depletion mode) MOSFET
- 채널은 실제로 제조
- 드레인과 소스사이의 전류 : 드레인․소스 양단에 접속도니 전압에 의해 흐르게됨
․ 증가형(enhancement mode) MOSFET
- 소자가 제조될 때 채널이 형성되지 않음
- 전하 캐리어로 채널은 형성시키기 위해 게이트 전압을 인가
→드레인과 소스 양단에 전압이 인가되면 드레인 전류 흐름
(1) 공핍형 MOSFET
그림 11-1 n-채널 공핍형 MOSFET 특성
․ (-)게이트-소스 전압 : 채널을 고갈시키기 위해 전자를 채널 영역으로 밀어냄.
충분히 큰 (-) 게이트-소스 전압은 이 채널을 pinch-off 시킴
․ (+)게이트-소스 전압 : 채널의 크기를 증가시켜 더 큰 채널 전류를 흐르게 함.
․ 의 (-)전압은 pinch-off 전압이 될 때까지는 드레인 전류를 감소
→ pinch-off 전압 이하에서는 드레인 전류를 차단
․ 게이트는 의 (-)와 (+)값에 대해 채널로부터 격리되어 있어 게이트 전류는 흐르지 않음

참고 자료

없음