DRAM에 관한 레포트입니다.

소개글

DRAM에 관한 발표레포트입니다.(A+)

목차

1. 메모리란?
(1) 의미
(2) 종류

2. DRAM
(1) 의미 (2) 특징 (3) 구조 (4) 제조공정

3. Capacitor란?
(1) 의미 (2) 구동원리 (3) 재료

4. 박막공정
(1) CVD (2) ALD

5. 미래의 메모리

참고문헌

본문내용

2. DRAM
Silicone위에 전기적 회로를 만들어 Data를 보관
자유롭게 Write(쓰기), Store(저장), Read(읽기)가 가능
전원이 끊기면 저장된 Data가 소멸
1Transistor와 1Capacitor의 간단한 Cell구조

4. 박막공정 – ALD (Atomic Layer Deposition)
● 낮은 온도에서 우수한 단차피복성과 균일한 조성을 가지는 박막을 형성
● 박막 내의 불순물 농도를 감소
● 반도체 소자의 미세화에 따라 얇고 두께를 정밀하게 제어요구
● 메모리용 유전막, 확산 방지막, 게이트 유전막 등의 수요 증가

5. 미래의 메모리
● DRAM은 저장된 데이터 보존을 위한 Refresh 작업이 필요
⇒ 다른 메모리 소자에 비해 더 많은 전력소모
해결방안 : 3차원 구조의 Capacitor적층방식에 대한 연구

● Ta2O5를 고유전물질로 사용하고 Ru를 전극으로 활용(MIM구조)
⇒ 30nm~40nm의 기술노드에 적합

● 유전율이 50~100인 SrTiO3 혹은 BST 고유전체와 Ru, Ir, Pt,
SrRuO3 등을 전극으로 활용한다면 20~30nm 기술노드 구현도 가능

참고 자료

1. T. Suntola and J. Antson, Finnish Patent No. 52359 (1974)
and T. Suntola and J. Antson, US Patent No. 4058430 (1977).
2. 이춘수·강원구·이규홍·이경수, 대한민국특허 제 0273473호 (2000).
3. 최신 반도체 공정기술
4. 박막증착의 최근기술동향
5. Kinam Kim and S. Y. Lee, Memory techmology in the future“, Microelectronic Engineering, 84, 2007, pp.1976~1981