27. 트랜지스터의 기초 실험 예비 결과 레포트

소개글

트랜지스터의 기초 실험 예비 결과 레포트입니다.

목차

실험 27. <예비보고서>
1. 실험제목
2. 실험목적 :
3. 관련이론
4. 실험방법

실험 27. <결과보고서>
1. 실험제목
2. 실험결과 :

본문내용

1. 실험제목 : 트랜지스터의 기초 실험

2. 실험목적 :
1) 증폭기로서의 트랜지스터 작용을 이해하고 트랜지스터의 바이어싱을 알아 본다
2) 트랜지스터의 증폭률을 구한다.

3. 관련이론
1) 트랜지스터의 기본구조- 트랜지스터 : 증폭 작용과 스위칭 역할을 하는 반도체소자이다. 트랜지스터는 크게 접합형 트랜지스터(Bipolar Junction Transistors:BJTs)와 전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistors:FETs)로 구분된다.- 트랜지스터 구조 :두 개의 pn 접합으로 나누어지는 도핑된 3개의 반도체 영역으로 구성되어 있다. 이 세 영역을 이미터(emiter), 베이스(base), 컬렉터(collector)라고 한다.

2) 트랜지스터의 특성IE = IB + ICIB는 IE와 IC에 비해 매우 적다ICBO는 이미터-베이스간을 개방시켜두고 컬렉터-베이스간을 역방향으로 바이어스 시켰을 때 흐르는 컬렉터전류이다. 이 누설전류(ICBO)는 컬렉터와 베이스간의 소수 반송자에 기인한다. ICBO는 게르마늄의 경우에는 수 마이크로암페어(μA)의 크기이고, 실리콘의 경우에는 수 나노암페어(nA) 크기이며, 온도가 증가함에 따라 증가한다.
  

참고 자료

기초전기전자 실험 교재