반도체 다이오드 특성 결과레포트

소개글

2007년도에실험한거구요~
반도체 다이오드 특성 결과레포트입니다
에이쁠맞았구요ㅎ

목차

1.실험제목
2.실험일시
3.실험목적
4.실험기구
5.실험이론
6.실험방법
7.실험결과
8.토의
9.참고문헌 및 웹사이트

본문내용

1. 실험제목 : ④반도체 다이오드 특성(반도체 물성과 소자참조)
2. 실험일시 : 2007. 10. 2
3. 실험목적 : 이번 실험은 p-n접합 반도체 다이오드의 전압 - 전류 특성 곡선을 측정하고, 정류작용의 원리를 알아보는 실험이다.
4. 실험기구 : 가변 직류전원장치, 만능기판, 멀티미터(전류계 측정), 다이오드, LED
5. 실험이론 :

1) 멀티미터 사용법.
멀티미터를 사용하는 목적으로는 첫 번째, 전자 계측기의 요건과 기본원리를 이해하기 위해서이고, 두 번째, 디지털 멀티미터를 이용하여 저항, 전압, 전류를 측정 할 수 있도록 하기 위해서 이다. 또한 마지막으로 계측기를 손상시킬 수 있는 옳지 않은 사용을 예방하기 위해서이다.
멀티미터의 외형을 살펴보면,




8. 토의
처음으로 전자기 부분의 실험을 하였다. 이론으로 책에서만 보던 회로그림과 공식들을 직접 손으로 연결하여 실험을 하니까 막히는 부분도 많았고 이론과는 많이 달랐다. 먼저 우리가 실험한 것은 반도체 다이오드의 성질을 알아보는 것이다. 다이오드의 성질에 대해 알아보기 전에 먼저 반도체에 대한 몇 가지 이론들을 알고 넘어 가자면 반도체에 불순물이 첨가되면 급격히 변하게 되는데, 특히 인, 비소, 안티몬과 같은 5가 원자를 결정 내의 실리콘 원자 하나와 교환하면 첨가된 불순물 월자의 전자 중 네 개는 교체된 실리콘 네 개 전자와 같은 역할을 하면서 가전자대의 일부분을 형성한다. 그러나 나머지 한 전자는 적은 열에너지에 의해서도 쉽게 떨어져 나와 전도대를 자유롭게

참고 자료

- 과학도를 위한 전자공학
-반도체 소자 및 회로