Microcontact printing(MCP) 을 이용하여 패턴제작
- 최초 등록일
- 2009.12.27
- 최종 저작일
- 2009.11
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소개글
Micropatterning 기술은 전통적인 반도체와 디스플레이 제작에 필수적인 과정이다. 반도체와 디스플레이등을 만들기 위한 Micropatterning 기술은 주로 photolithography를 통하여 행해지는데, 이는 상당한 에너지와 물질을 소비하게 되므로 많은 비용이 들어가게 된다. 그러므로, 많은 비용을 요구하는 photolithography을 피하고, 이를 대체하기 위해서, Microcontact printing(CP), nanoimprint, inkjet printing, screen printing 등 여러 가지 방안들이 논의되어졌다. 그러나, inkjet printing이나, screen printing은 10m 이하의 패턴을 만들기가 어렵고, nanoimprint의 경우 적은 사이즈의 패턴은 얻을 수 있으나 언제나 residual layer가 생겨서 이를 제거하는데 부가적인 비용이 들어가게 된다.
앞서 언급한 방법에 비해서, Microcontact printing(MCP)은 10m이하의 패턴도 쉽게 얻을수 있고, nanoimprint처럼 부가적인 etching 공정(residual layer 제거시 필요)도 필요하지 않기 때문에, photolithography을 대체할수 있는 좋은 방안이 될 수 있다.
이 레포트에서는 MCP을 제작하고 그를 이용하여 전기소자를 제작하는 과정을 설명할것이다.
목차
1. 개략적과정
2. 실험과정
3. 결과 및 토의
1) VUV / DUV 로 인한 영향 (PDMS stamp 표면처리)
2) 기판위에 P3HT coating 없이, PEDOT/PSS patterning.
3) 기판에 P3HT을 Coating하고 TC OTFTs 제작.
4. 결 론
본문내용
Micropatterning 기술은 전통적인 반도체와 디스플레이 제작에 필수적인 과정이다. 반도체와 디스플레이등을 만들기 위한 Micropatterning 기술은 주로 photolithography를 통하여 행해지는데, 이는 상당한 에너지와 물질을 소비하게 되므로 많은 비용이 들어가게 된다. 그러므로, 많은 비용을 요구하는 photolithography을 피하고, 이를 대체하기 위해서, Microcontact printing(CP), nanoimprint, inkjet printing, screen printing 등 여러 가지 방안들이 논의되어졌다. 그러나, inkjet printing이나, screen printing은 10m 이하의 패턴을 만들기가 어렵고, nanoimprint의 경우 적은 사이즈의 패턴은 얻을 수 있으나 언제나 residual layer가 생겨서 이를 제거하는데 부가적인 비용이 들어가게 된다.
앞서 언급한 방법에 비해서, Microcontact printing(CP)은 10m이하의 패턴도 쉽게 얻을수 있고, nanoimprint처럼 부가적인 etching 공정(residual layer 제거시 필요)도 필요하지 않기 때문에, photolithography을 대체할수 있는 좋은 방안이 될 수 있다.
여기서는, Microcontact printing 방법을 이용하여, electrode의 micro크기의 패턴을 기판 위에만들고, 또한 이를 Thin Film Transistor Device을 만드는데 이용하고자 한다.
1. 개략적과정
CP 과정은 주로, Self-assembled monolayer을 패턴화 시키는데 이용되어진다. 이 연구에서는 전도성 폴리머 PEDOT poly(3,4-ethylenedioxythophene)
와 PSS poly(4-stylenesulfonate)
를 organic thin film transistors(OTFTs)의 전극으로서 기판위에 패턴화시키는 과정을 소개할 것이다. 이때 organic semiconductor는 P3HT poly(3-hexylthiophene)
을 이용할것이여, OTFTs는 top contact(TC) 방식으로 만들어질 것이다.
참고 자료
없음