정류회로

소개글

산기대 전자회로 과제입니다.
ㅎㅎㅎ

목차

(1)그림 9-10의 단상전파정류회로를 작성해 시뮬레이션 결과를 기록하시오.
(2)그림 9-1 단상반파정류회로를 설계하고 시뮬레이션의 결과를 기록하시오.
(3)그림 9-10의 단상전파정류회로를 부품 대화상자에서 브릿지 모듈을 선택하여 시뮬레이션 결과를 기록하시오.
(4)“전자회로 Page51 그림 3-15”를 설계하고 시뮬레이션의 결과를 기록하시오.
(5)“전자회로 Page54 그림 3-19”를 설계하고 시뮬레이션의 결과를 기록하시오

본문내용

(1)그림 9-10의 단상전파정류회로를 작성해 시뮬레이션 결과를 기록하시오.
Solution)다이오드를 바꿔 가면서 시뮬레이션하고, 그것을 비교해보자.
Diode - 1N4001 50V 1A로 했을 때. Diode - LD103A 6.2V 2W로 했을 때.
Diode - FE1A 50V 1A로 했을 때. Diode - BYV28-50 50V 3.5A로 했을 때.
Diode - BAV18 50V 250mA로 했을 때. Diode - 1S310 50V 0.5A로 했을 때.
Diode - 1R5BZ61 100V 1.5A로 했을 때. Diode - DD1200 12000V 20MA로 했을 때.
(1)번 문제에 대한 고찰.
단상전파정류회로의 시뮬레이션 중, 다이오드를 바꾸어 가면서 그 결과를 관찰 했을 때, 입력된 교류전압의 파형
(V_INPUT)은 당연히 동일하고, 전파 정류된 전압(V_OUT)은 다이오드에 따라 진폭의 차이가 조금 씩 있다.
그리고 전압이 생기는 전류의 세기가 큰 다이오드 일수록 진폭이 더 세지고, 전류의 세기를 같게 했을 때, 생기는
전압이 큰 다이오드 일수록 진폭이 더 강해지는 것을 알 수 있었다.
또 하나 리포트의 그래프를 나타내진 않았지만, 저항값이 바뀌어도 전파 정류된 전압(V_OUT)는 변하지 않는 것도
알 수 있었다.
(2)그림 9-1 단상반파정류회로를 설계하고 시뮬레이션의 결과를 기록하시오.
Soluton)단상반파정류회로를 설계한 회로도
1.시뮬레이션의 결과
R2 - 100K일 때. R2 - 1000K일 때.
R2 - 5000K일 때. R2 - 10000K일 때.
2.이번에는 다이오드를 바꿔가면서 단상반파정류회로의 시뮬레이션을 조사해보자.
Diode - 1N4005 600V 1A일 때. Diode - D6525SA 600V 1A일 때.
Diode - MUR190 900V 1A일 때. Diode - BYV36D 800V 2A일 때.
Diode - DD300 3000V 20MA일 때. Diode - LD102A 6.2V 0.2W일 때.
Diode - ERB3804 400V 0.8A일 때. Diode - ESAC3904 400V 5A일 때.
(2)번 문제에 대한 고찰.
단상반파정류회로의 조건 중 저항 값을 크게함에 따라 출력전압(V_OUT)은 처음에는 안적적인 반파정류를 보이지만,
저항 값이 커지면서 불안해져 반파정류의 특징을 잃게 된다.
그리고 전압이 생기는 전류의 세기가 크고, 전류의 세기에 따른 전압이 월등히 큰 다이오드를 단상반파 정류회로에
설계했을 때 주기의 폭이 불안해져 펄스간격이 줄어드는 것을 알 수 있었다.

참고 자료

없음