[전자회로실험](예비,결과보고서)실험1. 접합 다이오드의 특성

소개글

전자회로실험과목에서 실험1. 접합 다이오드의 특성의 예비와 결과레포트입니다.
전체적으로 시뮬과 실험결과(사진)을 첨부하였고 이론과 실험내용에 이만큼 자세한 자료가 없을것이라고 생각합니다. 후회안하실겁니다.
pspice도 깔끔하게 시뮬레이션을 돌려서 자료의 질이 높습니다.

목차

1. 실험 목적
2. 실험 이론
1) pn접합 다이오드
2)Si 다이오드의 여러 가지 온도에 따르는 전압-전류 특성 변화.
3) 반도체 다이오드한 표시 및 저항계를 이용한 측정

□ 실험결과
1. 다이오드의 바이어스
2. 전압- 전류 특성
3. 저항 측정

4. 고찰

본문내용

1. 실험 목적
2 -
(1) 순방향 및 역방향 바이어스(bias)전압이 접합 다이오드(Junction diode)의 전류에 미치는 효과를 측정한다.
(2) 접합 다이오드의 전압-전류 특성을 실험적으로 결정하고 도시한다.
(3) 접합 다이오드를 저항계로 시험하는 법을 익힌다.

2. 실험 이론
1) pn접합 다이오드
p형 반도체와 n형 반도체가 금속적으로 접합된 것. 이 pn접합은 전기적으로 어느 한쪽 방향으로만 전류가 흐르게 된다. 이것이 바로 다이오드의 주된 특성이 된다.

▸평형상태
n-QNR의 전자 중 potential barrier보다 높은 에너지를 가진 전자만 p+-QNR쪽으로 diffusion한다.
p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift한다.
▸순방향 바이어스(forward bias)(>0)
인가된 순방향전압에 의해 potential barrier는 낮아진다.(건전지의 “-” 단자는 다이오드의 n쪽에 접속
되어 전자들은 그만큼 에너지가 높아진다.)
n-QNR의 전자중 potential barrier보다 높은 에너지를 가진 전자(thermal equilibrium보다 많음) 만
p+-QNR쪽으로 diffusion.
p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift.
p에서 n으로 전류가 흐른다.
.▸역방향 바이어스(reverse bias)(<0)

참고 자료

없음