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논리회로실험 RAM

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최초 등록일
2010.03.20
최종 저작일
2008.03
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R A M(Random Access Memory)
1. RAM
RAM은 정보를 저장하거나 저장된 정보를 읽어낼 수 있는 기억장치를 말한다. 일반적으로 기억장치는 주소(address) 개념을 갖는다.
2 RAM 회로 설계

3. ADDRESS
16개의 메모리 위치를 결정하기 위하여 4개의 입력선(A3A2A1A0)이 사용된다. 각 입력 어드레스는 4개의 2진 Digit로 구성된다. 예를 들면 A3A2A1A0 = 0000는 메모리 위치 0010을 지정하고 A3A2A1A0 = 0001은 위치 0110을 지정한다.

목차

1. RAM
2 RAM 회로 설계
3. ADDRESS

본문내용

1. RAM
RAM은 정보를 저장하거나 저장된 정보를 읽어낼 수 있는 기억장치를 말한다. 일반적으로 기억장치는 주소(address) 개념을 갖는다. 주소에 대한 필요성을 설명하기 위해 여러 가지 물건들을 저장할 수 있는 매우 커다란 창고가 있다고 가정하고, 이 창고에 물건들을 저장하였다가 다음에 쉽게 꺼낼 수 있는 효율적인 방법을 생각해보자. 만일 물건을 아무 생각없이 창고의 빈 공간 아무데나 넣는다면, 물건이 많이 쌓였을 경우 특정물건을 찾아 꺼내려고 할 때 어디에 보관했었는지 찾기가 쉽지 않을 것이다. 따라서 커다란 창고의 공간을 일정한 크기의 작은 공간들로 구분하고 이들 작은 공간마다 번호(주소)를 차례로 붙여 놓으면 효율적으로 물건을 저장하고 꺼낼 수 있을 것이다. 즉, 물건을 저장할 때 저장장소의 번호(주소)를 알아 놓으면 다음에 물건을 꺼낼 때 그 번호(주소)에 해당하는 공간에 가면 바로 물건을 찾을 수 있게 된다. 이와 같은 주소 개념이 기억장치에 그대로 적용된다. 일반적으로 기억장치는 많은 정보를 저장할 수 있는 커다란 창고로 생각할 수 있으며, 저장된 정보를 효율적으로 저장하고 다시 꺼낼 수 있도록 하기 위해 커다란 저장공간을 보다 작은 영역으로 분리하고


2 RAM 회로 설계
그림 12-1에 나타내었던 RAM의 내부회로를 설계해보자. 그림 12-2에 4x3비트 용량을 갖는 RAM의 내부회로를 나타내었다. RAM의 내부회로는 그림 12-2(a)에 나타낸 것과 같이 주소 디코더와 1비트의 정보를 저장할 수 있는 메모리 셀(cell)들, 출력을 위한 OR 게이트 등으로 구성되어 있다. 그림에서 A1, A0는 주소 입력선이며, I2, I1, I0는 데이터 입력선이고, Y2, Y1, Y0는 데이터 출력선이다. 선은 읽기/쓰기 제어선으로 = 1 일때는 읽기동작이 수행되고, = 0 일때는 쓰기동작이 수행된다. E(enable) 신호선은 전체적인 메모리 기능을 통제하는 신호선으로, E=1일

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