[기초 전자공학 실험] 클리핑, 글램핑 결과 레포트
- 최초 등록일
- 2010.03.21
- 최종 저작일
- 2009.01
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소개글
[기초 전자공학 실험] 클리핑, 글램핑 결과 레포트
기본적인 내용이 모두 들어가 있으며 풍부한 양의 고찰을 적었습니다.
목차
1) 문턱 전압
2) 병렬 클리퍼
3) 병렬 클리퍼(계속)
4) 병렬 클리퍼 (정현입력)
5) 직렬 클리퍼
6) 직렬 클리퍼 (정현입력)
[5] 결론 및 고찰
본문내용
~ 클리핑 회로 ~
1) 문턱 전압
Si 다이오드와 Ge 다이오드의 문턱 전압을 측정하라.
VT(Si) = 0.56 V
VT(Ge) = 0.3 V
2) 병렬 클리퍼
a. 다음 클리핑 회로를 구성하고, 측정된 저항치와 D 셀의 전압을 기록하라. 입력파형은 1 kHz 주파수의 8 VP-P의 구형파로 설정하라,
Rmeas = 2.13 kΩ Emeas = 1.5 V
b. R, E, VT의 측정치를 이용하여 인가된 구형파가 +4 V일 때 전압 VO를 계산하라.
(계산치) VO = 4 V
※ 다이오드가 역방향 바이어스 된다.
c. 인가된 구형파가 -4 V 일 때, 순서 b를 반복하라.
(계산치) VO = -1.5 V + 0.56 V = -2.06 V
d. 오실로스코프를 사용하여 VO을 측정하라.
수직감도 = 1 V/div
수평감도 = 0.2 ms/div
e. 회로의 배터리의 방향을 바꾸고, R, E, VT 의 측정값을 이용하여 Vi = +4 V 일 때, VO의 레벨을 계산하라.
(계산치) VO = 4 V
f. Vi = -4 V 일 때 순서 f를 반복하라.
(계산치) VO = 1.5 V 0.56 V = 0.94 V
g. 오실로스코프를
[5] 결론 및 고찰
① 5τ > T/2 일 때, 클램핑이 잘 되는 이유는?
한 반주기에서 반대 반주기로 넘어가기 전까지 캐패시터가 충전이 되고, 그 값을 반대 반주기가 다시 넘어가기 전까지 값을 유지하므로 클램핑이 잘 된다.
② R → ∞ 이 되면 클램핑이 잘 되지만, 단점은 무엇인가?
저항이 크면 시정수가 커져 클램핑이 잘 되지만, 옴의 법칙에서 일정 전압에서 전류가 감소하므로, 전류를 원하는 값으로 흐르게 하기 위해서는 더 큰 전압원이 필요하게 된다.
③ 5τ 의 의미는?
시정수(τ)는 커패시터가 완전히 충전되고 방전되는 시간이 아니다. 완전히 충전되고 방전되는 시간의 근사값으로서 시정수에 5배를 해준다.
이번 실험을 통하여 우리는 클리퍼와 클램퍼의 기능과 동작에 대해서 이해할 수 있었다. 먼저 클리퍼란 입력파형에서 원하지 않는 부분을 절단(clipper)하여 출력파형으로 나타내는 방법을 말하는데 이번 클리퍼 실험에서는 크게 직렬과 병렬 두 가지로 나누어 실험을 하였다.
먼저 병렬 클리퍼 회로 일 때, 다이오드를 순방향으로 연결하였을 때는 (+)파형 클리핑으로 (+)구간에서는 다이오드가 차단되므로 출력 파형은 0, (-) 구간에서는 다이오드가 도통되므로 출력파형은 (-)으로 됨을 확인할 수 있었다. 반대로
참고 자료
없음