바이어스 회로(예비,결과포함)

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최초 등록일: 2010.04.03
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전자회로실험 시간에 실험한 바이어스 회로 실험 예비,결과 레포트 입니다.

본문내용

4. 이론개요
이 실험에서는 세 가지 다른 바이어싱(biasing)회로 취급된다. 이론적으로 JFET를 바이어싱 하기 위한 실험절차는 BJT에 대한 것과 동일하다. 특히 JFET의 드레인 특성곡선과 JFET에 연결된 외부회로가 주어지면, 부하선은 VDD, VDS, ID를 포함하여 구성된다. 드레인 특성곡선과 부하선의 교차점은 JFET의 직류 동작점을 결정한다. 소자 특성은 JFET의 성질이다. 그에 반해서 부하선은 JFET에 연결된 외부회로 요소에 의해 결정된다. 직류 동작점은 두 곡선의 교차점으로 결정된다.
실질적로 같은 타입의 JFET일지라도 드레인 특성곡선에서 상당한 변화를 보여준다. 결과적으로, 제조자는 때때로 이러한 곡선의 값을 발표하지 않고 오히려 포화전류와 핀치오프 전압의 값만 규격표의 한 부분으로 나타낸다.

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