공업화학실험 박막식각 결과

소개글

박막식각 결과보고서 피피티 파일입니다.

목차

1. 산화(oxidation) 공정
2. PR코팅(감광제 도포) 공정
3. 노광(Explosure) & 현상(Development) 공정
4. 식각(Etching) 공정

본문내용

1. 산화(oxidation) 공정

#. 제일 첫 공정은 고(800~1200도) 에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼 표면에 뿌려 산화막을 형성시키는 공정이다.

#. 산화막은 역할은 웨이퍼 위에 그려질 배선끼리 합선되지 않도록 서로를 구분해 준다. 배선간의 간격이 미세하기 때문에 합선이 될 경우가 많다.

2. PR코팅(감광제 도포) 공정

#. Photo Resist의 구성
1. 용제 : 감광막을 용해시킬 때 쓰이는 용액
2. 다중체 : 감광막의 핵심으로 원자들의 반복적인
구조를 가진 분자들의 집합체
3. 감응제 : 에너지를 다중체에 주어 이중결합을
깨뜨리게 하며, 빛에 노출되는 시간을
감소시킴과 동시에 노출 정도를 고르
게 하는 역할 

참고 자료

없음