공업화학실험 박막식각 예비보고서

소개글

박막식각 예비레포트

목차

1. 실험제목
2. 실험목적
3. 실험내용
4. 실험절차

본문내용

1. 실험제목
SiO2 박막의 식각 및 PR 제거

2. 실험목적
여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세 가지 공정으로 나뉘는데 첫째로 증착공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나뉜다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른 박막의 표면과 두께의 변화 등에 대하여 고찰하고자 한다.

3. 실험내용
가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치(reactive ion etcher; RIE)를 이용하여 식각한다. 식각 전후의 산화막의 색깔 변화를 관찰하여 식각된 두께를 측정하고 식각에 의하여 형성된 패턴의 모양을 관찰한다.

4. 실험절차
(1) 산화막(SiO2)의 패터닝(patterning) - Lithography 공정 (조교가 수행)
(2) 패턴된 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
(3) 패턴된 산화막을 반응성 이온 식각장치를 사용하여 적절한 식각가스와 파워를 선택하여
식각 실험을 진행한다.
(4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
(5) 마스크 패턴의 제거 (O2 plasma ashing) - 플라즈마 애슁장치를 이용하여 산소플라
즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다.
(6) 마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용

5. 실험이론
(1) 플라즈마 (Plasma)

(1).1 플라즈마란?

<플라즈마의 다양한 형태>
전기적인 방전으로 인해 생기는 전하를 띤 양이온과 전자들의 집단을 플라즈마라고 한다. 고체, 액체, 기체와 함께 물질의 네 번째 상태인 플라즈마는 기체입자,

참고 자료

① http://www.semipark.co.kr/semidoc/basic/ - 플라즈마 & PN접합
② http://me.kaist.ac.kr/upload/course/MAE205/ - 반도체제조, Lithography공정, 식각공정
③ http://user.dankook.ac.kr/~idrc - OLED 구조와 원리
④ http://smdl.snu.ac.kr/lecture/SD/ - PN접합
⑤ http://psel.snu.ac.kr/psel/files/lecture/plasma - 플라즈마
⑥ 김덕규 저, 『광전자 반도체 공학』, 기전연구사, 2008 p.85~p.93 - PN접합
⑦ Richard C. Jaeger 저, 『반도체 공정 개론』, 이상렬; 명재민; 윤일구 공역, 교보문고, 2002
- Lithography, 반도체 제조공정(일부), 식각공정(일부)
⑧ Betty Lise Anderson, Richard L. Anderson 저, 『반도체 소자공학』, 서정하[외] 역, 한티미디어, 2005