나노전자소자 및 이 기술과 관련된 특허분석

소개글

나노전자소자에 대해 조사했고, 이 기술과 관련된 특허를 분석하였습니다.

목차

⑴ 나노 일렉트로닉스의 개요
⑵ 나노 전자소자 개요
⑶ 나노 전자소자 개발방향
⑷ 단일전자소자

본문내용

⑴ 나노 일렉트로닉스의 개요
 
□ 종래의  일렉트로닉스 기술은 주로 정보통신의 요소기술로 발전하여 고도의 기능을 갖는 정보처리 시스템을 구축되어진 결과 오늘날의 IT시대가 도래함.
 
□ 일렉트로닉스 기술을 구성하는 프로세서, 디바이스, 시스템 응용 3분야 중에서 고속, 고기능의 요구에 대응하여 계속적인 발전을 이룩한 프로세스 및 디바이스 기술이 원동력이 됨.
- 2003년 발표한 로드맵에 의하면, 디바이스의 최소 단위는 2007년 65㎚, 2010년 45㎚, 20013년에는 32㎚에 달할 것으로 예측됩니다.
 
- 이것을 실현하기 위해 필요한 연구개발투자 및 양산화를 위한 설비투자의 과대, 치수의 세밀화에 따른 진동의 증대 및 기술의 난이도 향상에 따른 불량률의 극단적인 증대 등 많은 장애요소가 있음.
 
- 지금까지 소위 탑다운 방식의 노선으로 나아감에 한계가 지적되고 있으므로 일렉트로닉스에서 나노 기술은 이러한 한계에 대한 돌파의 구동력을 제공할 것으로 기대

□ 나노 기술이 차세대 핵심기술로 주목받고 있는 이유는 물리, 화학, 생물 등 광범위한 분야에서 추진해온 기술의 학제적인 융합에 의해 새로운 기술혁신이 가능하기 때문

- 나노 프로세서는 이들 영역에서 개별적으로 연구, 개발되어 온 요소기술을 통합하여 새로운 기능을 반영시키기 위한 프로세서로 정의할 수 있음

□ 탑다운 프로세스는 주로 반도체 제조공정에서 확립되어 온 미세가공기술을 의미한다. 초대규모 집적회로는 소자의 치수를 축소하면 성능을 향상시킬 수 있는 스케일링에 따라서 급속하게 미세화 되었음.

- 오늘날 반도체 소자의 설계 치수는 90㎚이다. 소자크기를 작게 하는 것은 단위면적당 소자 수를 증대시킬 수 있으며, 제조비용을 절감할 수 있다는 장점도 포함하고 있다. 이러한 기술 변화에 따라 미세가공기술도 급속하게 진보하였음
 
- 그러나 설계 치수가 100㎚ 이하가 되면 양자효과 등의 본질적인 문제가 반도체 소자의 동작에서 현저하여 미세화의 장점을 충분히 누릴 수 없게 되고, 동시에 막대한 설비투자가 필요하며, 비용 면에서도 미세화의 장점이 사라지게 됨.

참고 자료

http://blog.korea.kr/main/log.do?blogId=40000853&logId=40117156
 
http://blog.naver.com/kmh8400?Redirect=Log&logNo=50008704608
 
http://blog.naver.com/wmission29?Redirect=Log&logNo=30002717925