MOSFET 공통 소스 증폭기_프리랩

소개글

예비 보고서 입니다.

목차

1. 제목
2. 실험 목적
3. 실험 내용
[ n채널 증가형 MOS-FET ]
[ n채널 공핍형 MOS-FET ]

본문내용

1. 제목 : 실험 24 MOS-FET 공통 소스 증폭기
2. 실험 목적
가. MOS-FET의 드레인특성을 실험적으로 결정한다.
나. FET 증폭기에 대한 여러 가지 바이어스를 고찰한다.
다. MOS-FET 공통 소스 증폭기의 전압이득을 측정한다.
3. 실험 내용
가. 기초 이론 : J-FET와 마찬가지로 MOS-FET도 드레인 전류 가 게이트 전압에 의하여 제어되 는 전계효과 트랜지스터(FET)이다. MOS-FET와 J-FET는 물리적 구조와 동작원리 가 다르다. MOS-FET는 만드는 방법에 따라 증가형(enhancement type)과 공핍형 (depletion type)이 있다. MOS-FET는 J-FET보다 더 큰 입력 임피던스를 가지고 있다.
[ n채널 증가형 MOS-FET ]
n채널 증가형 MOS-FET에 있어서, 드레인과 소스 사이에 채널이 없고 n형 드레인과 소스가 P형 기판에 의하여 분리되어 있다. 반도체 기판 위에는 매우 얇은 이산화 실리콘() 절연층이 있고, 그 위에 게이트단자로 작용하는 금속이 증착되어 있다. 오디오접촉은 게이트, 드레인, 소스, 기판단자를 만들어낸다. 기판단자가 내부적으로 소스와 연결되어 있으면 기판단자는 만들지 않는다. 그러므로 게이트는 FET의 기판으로부터 절연되어 있어서, 이 MOS-FET를 절연게이트 FET(IGFET)라 부른다.

참고 자료

없음