각종증착장비에대하여...

소개글

증착 장비에 대한 레포트입니다.(CVD, ALD, Sputter)

목차

1. CVD(Chemical Vapor Deposition)
◎CVD란?
◎CVD 공정의 종류
2. ALD(Atomic Layer Deposition)
◎Atomic Layer Deposition이란?
◎ALD의 특징 및 CVD와의 비교
◎삼성분계 물질의 증착
3. Sputter
◎Sputter 원리
◎Sputter의 종류
◎Evaporation 증착법과 Sputter 증착법의 차이점
◎ITO 박막의 특성을 결정하는 조건(증착압력, RF power 등등)
4. Reference

본문내용

1. CVD(Chemical Vapor Deposition)

◎CVD란?
CVD(Chemical Vapor Deposition)는 가장 널리 쓰이는 증착 방법으로 증착될 물질의 원자를 포함하고 있는 기체상태의 화합물을 이 기체가 반응을 일으킬 수 있는 환경을 갖는 반응실로 유입하여 화학적 반응에 의해 기판 표면 위에서 박막이나 에피층을 형성하는 것이다. 반응온도는 100 ~ 1200℃ 범위로 광범위하게 사용되고 유입된 반응가스를 분해시키기 위해서 열, RF전력에 의한 Plasma 에너지, 레이저 또는 자외선의 광 에너지가 이용되며 기판의 가열에 의하여 분해된 원자나 분자의 반응을 촉진하거나 형성된 박막의 물리적 성질을 조절하기도 한다. CVD로 얻어지는 박막의 물리적 성질은 증착이 일어나는 기판(비정질, 다결정, 결정)과 온도, 증착속도 등의 증착조건에 의하여 결정된다. 일반적으로 이러한 변수들이 증착되는 원자의 표면이동속도에 영향을 미침으로써 막의 구조나 성질에 영향을 미친다. 다른 많은 박막제조공정과 비교해 볼 때, CVD는 다양성, 적용성, 제품의 품질, 단순성, 재활용성, 생산성, 가격문제 등에서 매우 큰 장점을 가지고 있다.

◎CVD 공정의 종류
CVD 공정은 반응실의 반응 조건에 따라 (주로 진공도) 크게 3가지로 구분된다. 각 3가지 기법에 따른 설비의 장치 구성도는 많은 차이점을 가지고 있다.
①APCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)
반응로(Chamber)의 진공도를 대기압 상태에서 실시하며 주로 열(Heat)에 의한 Energy에 의존한다.
②LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)
반응로(Chamber)의 진공도가 저압이며, 고열에 의한 Energy로 반응을 유도
③PECVD (Plasma Enhancement Chemical Vapor Deposition)
반응로(Chamber)의 진공도가 저압이며, 저열에 의한 Energy와 R.F. 전력에 의한 Plasma로 반응을 유도.

참고 자료

http://python.rice.edu/~arb/Courses/Images/360_02_handout9.jpg
http://blog.naver.com/adycj?Redirect=Log&logNo=30041407862
http://blog.naver.com/redox3?Redirect=Log&logNo=140100305480
http://blog.daum.net/widerock1/13384511
http://www.naver.com
http://www.google.com