[응용센서] ccd이미지센서

목차

CMOS 이미지센서
CMOS image sensor의 Pixel구조 및 동작원리
CMOS Image Sensor glossary

CCD 이미지센서
CCD의 종류
CCD의 구성
CCD 동작
CCD의 특성
CCD PROCESS INTEGATION

본문내용

▶ 1-Tr Structure
1 Tr Structure의 경우 그림과 같이 아주 간단한 구조로 구성된다. 1 pixel을 구성하는 요소가 MOSFET 1ea, Photo
Diode 1ea로 구성되므로 동일한 pixel size에 대해서 2 ~ 4TR 구조의 pixel 보다 수광부 면적을 크게 할 수 있는 장점이 있다.
또한 70 ~ 80 %에 이르는 fill factor를 얻을 수 있다. 그러나 signal readout시 noise level이 대략 250 e- [r.m.s] 정도로 매우 크게 나타나며, signal 증폭용 sense amp(S/A) 및 signal 저장용 capacitance가 bus line 끝단에 존재하므로 parastic capacitance의 영향을 많이 받아 결과적으로 Fixed Pattern Noise(FPN)가 크게 나타나는 단점이 있다. 이러한 구조로는 photo-diode type passive pixel구조와 Charge Modulation Device(CMD)가 있다.
그러나 CMD의 경우 standard CMOS process를 사용하지 않고 특별한 process를 적용하기 때문에 non-CMOS active pixel sensor(APS)라고 불리기도 한다. 1 Tr구조의 동작은 수광부에 빛이 입사하게 되면 이에 따라 EHP(Electron-Hole Pair)가 생성되고, 이렇게 생성된 신호전하는 Tr의 gate bias에 따라 출력단으로 전달되는 방식으로 되어 있다.

참고 자료

없음