PVD와 CVD의 비교 및 분석

소개글

증착의 종류에 따른 분류와 분석

목차

<PVD> (Physical vapor deposition)
- 특징
- 장치구성
1. 진공증착법
2. Sputtering 증착법
3. Ion Plating
-PVD의 장점
-PVD의 단점
<CVD> (Chemical Vapor Deposition)
-물리적 성질
-CVD공정의 개요
-CVD의 활용범위
- 필요조건
- CVD를 이용한 증착 과정
-CVD의 장점
-CVD의 단점

본문내용

PVD 공정은 생성하고자 하는 박막과 동일한 재료(Al, Ti, W, Pt등)의 입자를 진공중에서 여러 물리적인 방법에 의하여 기판 위에 증착시키는 기술을 말한다.
- 특징
1. 기판의 온도를 자유롭게 선택 가능하다.
2. 화학반응은 거의 일어나지 않는다.
3. 부착한 원자와 기판의 밀착성이 좋다.
4. 진공도, 증기압, 장치구조, 전원출력 등의 물리적인 변수의 제어로 공정결과를 결정가능.
5. 저온에서 가능하며, 정확한 합금성분 조절이 용이하다.
6. Step Coverage, Grain Structure, Stress 등의 조절이 용이하다.
- 장치구성
진공장치, 제어부, Load Lock, 반응용기 Main Frame
전원공급부, 증착하고자하는 박막에 따라 용기안에 원하는 종류의 재료를 설치하게 되는 Target
진공증착법
- e-Beam을 이용한 진공증착
저압하에서 열선으로 만들어진 도가니 안에 금속 물질을 넣어 놓고 열을 가하면 금속물이 융점 이상의 온도에서 증발되어 나온 입자를 기판 위에 증착 시키는 기술로 박막을 제조하는 방법이다.



- CVD를 이용한 증착 과정
1. 박막의 증착
2. 후열처리 : 증착된 박막들에서 증발현상을 막기 위해 열처리를 해야 한다. 산화물인 경우에는 산소의 증발을 막기 위해 산소 분위기에서 600℃이상의 온도에서 열처리를 해야한다.
3. 결정구조 분석 XRD 분석 : 열처리 온도 및 reactor 온도 변화에 따른 박막의 결정구조 및 결정성분석과 중간상 형성 및 상변화를 위하여 XRD 등을 이용하여 결정구조를 분석한다.
4. AES 분석
증착된 박막의 깊이에 따른 조성분포를 관찰하여 중간상의 형성과 상호 확산 정도를 조사하기 위해 AES(Auger Electron Spectroscopy) 측정을 한다. AES는 수 백 Angstrom 크기로 집속된 전자 빔을 재료의 표면에 입사시켜 방출되는 Auger 전자의 에너지를 측정하여 재료 표면을 구성하고 있는 원소의 종류 및 양을 분석해내는

참고 자료

없음