[결과보고서] SCR 특성 및 반파 정류제어

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목차

실험 제목
실험 시 사용된 주요 이론
실험 결과
고찰 및 오차 분석

본문내용

실험 결과보고서
1. 실험 제목
- SCR 특성 및 반파 정류제어

2. 실험 시 사용된 주요 이론
- 사이리스터(thyristor)란?
사이리스터란 p-n-p-n접합의 4층 구조 반도체 소자의 총칭. 역저지 사이리스터, 역도통 사이리스터, 트라이액이 있다. 그러나 일반적으로는 SCR(Silicon-Controlled Rectifier Thyristor)이라고 불리는 역저지 3단자 사이리스터를 가리키며, 실리콘 제어 정류소자를 말한다. 사이리스터는 3개이상의 P-N접합을 1개의 반도체 기판 내에 형성함으로서 전류가 흐르지 않는 오프 상태와 전류가 흐를 수 있는 온 상태의 2개의 안정된 상태가 있고, 또한 오프 상태에서 온 상태로 또는 온 상태에서 오프 상태로 이행이 가능한 반도체 소자이다. 사이리스터는 일반적으로 전력용 트랜지스터에 비해 고내압에서 우수한 특성을 나타낸다. 2단자, 3단자, 4단자의 대표적인 소자는 SCR, SCS, UJT, PUT, DIAC, TRIAC, SBS, LAS, GTO 등이 있다.
<사이리스터의 장점> ① 고전압 대전류의 제어가 용이하다.② 제어이득이 높고, 게이트 신호가 소멸하여도 온 상태를 유지할 수 있다.③ 수명은 반영구적으로 신뢰성이 높다. 또 써지 전압 전류에도 강하다.④ 소형, 경량으로 기기나 장치에의 설치가 용이하다.
이러한 장점을 갖고 있는 사이리스터는 가전제품, OA기기, 산업용 기기 등의 전력제어 분야에서 널리 사용되고 있으며, 수십A이하의 중,소 전력 사이리스터만도 여러가지가 있다.
<사이리스터의 종류>
1. SCR 사이리스터 (silicon controlled rectifier) (3극 단방향 사이리스터)

위 그림에서 A, K, G는 각각 애노드(anode), 캐소드(cathode), 게이트(gate)를 나타내고, 전류는 항상 애노드에서 캐소드로 흐른다.
2. GTO 사이리스터 (Gate-Turn-Off Thyristor) (3단자 턴오프 사이리스터)

참고 자료

없음