photoresist, bake

소개글

photoresist, bake

목차

What’s Photolithography?
What’s Photoresist And N/P Photoresist?
What is Positive Photoresist different from Negative Photoresist?
What’s Baking?
Why does we work Soft-Baking?
Why does we work Hard-Baking?

본문내용

Photoresist?
사진식각(Photoetching)에 사용되는 감광성 고분자
빛에너지에 의해 분해 또는 가교 등이 일어나 그 용해 특성이 변화하는 물질
N/P Photoresist
Negative Photoresist
노광, 현상 후 열 변형이 일어나지 않음
electro-forming 후 제거가 쉽지 않음
다양한 PR코팅 높이
노광 에너지 다량 필요. 노광시간 길어져 작업효율 저하
Positive Photoresist
electro-forming 후 removing이 잘됨
유리전이온도 이상의 온도를 가하게 되면 reflow가 가능
높이가 높은 구조물을 만들기 힘듦
노광시간이 짧아 시간당 많은 수의 웨이퍼 노광처리 가능
Photolithography
Baking?
감광제를 웨이퍼에 도포하는 공정중에는 도포하기
전ㆍ후에 가열하는 과정이 있는데, 이를




avoid mask contamination and/or sticking to the mask
prevent popping or foaming of the resist by N2 created during exposure
improve resist adhesion to the substrate
minimize dark erosion during development
prevent dissolving one resist layer by a following multiple coating
bubbling during subsequent thermal processes (coating, dry etching)
Hard-Baking
Hard-Baking
Embrittlement of the resist film with crack formation
e photoresist
The need for an improved resist adhesion
The need for an improved chemical stability of the resist mask
A decreased removability of the stabilized resist after processing
Thank you

참고 자료

없음