[반도체] 반도체 동향과 새로운 기술의 개발

소개글

반도체 동향과 새로운 기술의 개발

목차

새로운 공정 및 재료의 개발
⊙새로운 공정- 제조가격을 10분의 1로 낮추는 공정
⊙ 반도체소자 기술발전 추이
⊙ Nanostructure
⊙새로운 배선 공정- metalization
⊙새로운 재료의 도입(Chemically-Selective Planarization; CMP, EP)
새로운 개념의 소자 도입 및 개발 동향
⊙도입이유
⊙새로운 개념의 소자
⊙개발동향
⊙전망

본문내용

⊙새로운 공정- 제조가격을 10분의 1로 낮추는 공정
개선된 공정에는 사용되는 도구 구조의 클러스터와 가스 및 액체들의 재사용 등이 포함된다. 오미 교수는 새로운 칩 생산라인의 개념으로서 3차원 도구 클러스터링 방식을 제안하였다. 즉, 프로세스 챔버들을 전달 변화기에 위치시키면, 클러스터 도구들은 더 이상 밸브를 필요로하지 않게 되므로, 클러스터 도구를 놓기 위해 방바닥에서 1㎡의 면적만이 필요하였다. 이에 비하면, 기존 방식에서는 200㎜ 웨이퍼 제조를 위해 약 4㎡의 면적이 필요하였다.
따라서, 만일 이 시스템을 300㎜ 웨이퍼 생산 공정에 이용하게 되면, 도구 클러스터를 위한 면적이 겨우 1.4㎡에 그쳐, 기존 방식에서 200㎜ 웨이퍼 생산에 필요한 면적의 절반에도 미치지 않게 된다. 이것은 곧 200㎜ 웨이퍼를 위한 청정실을 300㎜ 웨이퍼 생산에 사용할 수 있다는 것을 의미하므로 매우 경제적인 시스템이 된다.
⊙ 반도체소자 기술발전 추이
정보 저장량이 증가하고 정보처리 속도가 상승하면서 반도체 소자의 고집적화가 이루어지게 되었다. 여기에 이용되는 가장 중요한 기술 중 하나가 바로 metalization이다.
Metalization의 기술이 발달하면서 사용되는 금속의 종류나 증착 방법도 변해왔는데, 요즘은 이용되는 원료가 Al에서 Cu로 바뀌어 가는 추세이다.

참고 자료

없음