MOSFET의 특성 실험

소개글

직접 실험 스캔 작성하여 A+ 받은 레포트입니다.
도움되시길..

목차

1. 제목
2. 목적
3. 기본이론
(1) 공핍형 MOSFET (D-MOSFET)
(2) 증가형 MOSFET(E-MOSFET)
4. 실험 방법
5. 결과 및 고찰
(1)결과
(2)고찰

본문내용

1. 제목
MOSFET의 특성 실험
2. 목적
MOSFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 결정한다.
3. 기본이론
MOSFET은 공핍형과 증가형의 두 종류가 있다.
(1) 공핍형 MOSFET (D-MOSFET)
① 공핍모드
음의 게이트-소스전압이 인가되면 공핍형 MOSFET은 공핍모드로 동작된다. 게이트에 음의 전압을 가하면 게이트의 음전하는 채널 밖으로 더 많은 전도전자를 밀어내어 채널의 전도도가 감소하게 된다.
②증가모드
양의 게이트-소스전압이 인가되면 공핍형 MOSFET은 증가모드로 동작하게 된다. 게이트에 양의 전압을 가하면 게이트의 양전하는 채널로 더 많은 전도전자를 잡아 당겨 채널의 전도도가 증가하게 된다.
③공핍형 MOSFET의 전달특성
(2) 증가형 MOSFET(E-MOSFET)
① 증가형 MOSFET
증가형 MOSFET은 단지 증가 모드로만 동작하고 공핍모드로는 동작하지 않는다.
그리고 인위적으로 물리적 채널을 만들지 않는다.
게이트 -소스 전압이 증가될수록 채널의 전도도가 증가하므로 채널로 더 많은 전자를 끌어당기게 되며 임계값 이하의 게이트-소스 전압에서는 채널이 형성되지 않는다.
② 증가형 MOSFET의 전달특성




(2)고찰
① 실험에서 얻은 결과 데이터와 규격표에 표시된 데이터와 비교하여 보고 차이점이 있으면 그 원인을 설명하라.
②공핍형 MOSFET과 증가형 MOSFET을 비교할 때 증가형 MOSFET에 없는 파라미터 두 개는 무엇인가?
와 V
③증가형 MOSFET에서 나타나는 n형 반전층에 대해 설명하라.
n채널 증가형 MOSFET에서 V라는 임계전압값 이상의 양의 게이트전압이 인가되면 SiO층에 인접한 기판영역에 얇은 음전하층(n-type inversion layer)[즉 반전층]을 만들어 채널이 임계값 이상의 외부전압에 의해 형성된다.
④게이트-소스 전압이 0인 경우 공핍형 및 증가형 MOSFET에 흐르는 드레인 전류는 얼마인가?
공핍형은 V값이 0이면 n,p형 모두 I값을 갖는다.
증가형은 V값이 0이면 n,p형 모두 0값을 갖는다.

참고 자료

없음