MESFET 에대해서

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MESFET에 대해서

A4 1장

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금속-반도체 전계효과 트랜지스터
(Metal-semiconductor field-effect transistor/MESFET)

금속 반도체 전계 효과 트랜지스터(Metal-Semiconductor Field-Effect-Transistor: MESFET)는 p-n 접합을 사용하는 JFET, 금속 산화막 반도체 레이어를 사용하는 MOSFET과 달리 금속 반도체 (쇼트키) 접합을 사용하여 전도 채널을 생성한다.
금속-반도체 전계효과 트랜지스터(Metal-semiconductor field-effect transistor/MESFET)는 그 전도 과정에 주로 한 종류의 운반자만이 참여하기 때문에 단극성 소자이다.
<중략>
전도 채널은 고저항 반(半)절연성 기판에 의해서 지지되는 얇은 n형층으로 형성되어 있다. 소스에 대해서 드레인에 양의 전압이 걸리면 전자는 소스에서 드레인으로 흐른다. 따라서 소스는 운반자의 방출원이고, 드레인은 운반자의 흡수원이다.
3번째 전극인 게이트는 채널과 함께 정류특성 금속-반도체 접촉을 형성한다. 소스에 대한 게이트 전압의 증감은 공핍 영역의 증감을 일으킨다. 이것은 다시 전류가 소스에서 드레인으로 흐르는 데 이용될 수 있는 단면적을 변화시킨다. 그러므로 MESFET는 전압 제어 저항으로 생각할 수 있다. 주어진 게이트 전압에서(예를 들면 VG=0) 처음에는 드레인 전류가 드레인 전압에 따라 선형적으로 증가하는데 이는 전도 채널이 일정한 저항체로 작용하는 것을 나타낸다. 그런데 드레인 전압이 커지면 전도 채널의 단면적이 감소되어 채널의 저항이 커진다. 그결과 전류의 증가는 둔화되고 결국에는 포화값에 다다른다. 주어진 드레인 전압에서 게이트 전압을 변화시킴으로써 전류를 변화시킬 수 있다.
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참고 자료

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