[기초전기전자실험]트렌지스터 특성 실험

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트랜지스터는 두 개의 반도체 접합부를 서로 아주 근접하도록 형성시켜서 만든다. npn트랜지스터는 그림 12-1(a)와 같은 두 개의 n형 물질과 p형 물질로서 구성되어 있다. n형 물질의 한 영역을 콜렉터, 그리고 EH 다른 n영역은 에미터, 중앙에 있는 p형 영역은 베이스라고 부른다. 그림 12-1(b)에서 에미터 단자의 화살표는 트랜지스터가 npn형 또는 pnp형인가에 따라 방향이 바뀐다. 다이오드에서와 마찬가지로 화살표의 앞부분은 에미터와 베이스 사이의 전류의 방향을 나타낸다.
트랜지스터의 에미터가 입력과 출력 사이에 공통단자로 되었을 때를 공통에미터(common emitter : CE)구조라고 부르며, 콜렉터는 출력 단자이고, 베이스는 입력단자가 된다. CE 순방향전류이득은 가장 중요한 트랜지스터 특성이며,

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