구리필름의 전기적 특성 분석 실험

소개글

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목차

1. 실험 목적

2. 이론적 배경
1) Sputtering의 원리
2) RC delay

3. 실험 방법

4. 실험 결과 및 고찰
1) 열처리 온도에 따른 resistivity의 변화
2) 열처리 온도에 따른 Cu 박막의 비저항 그래프
3) 열처리 온도에 따른 Cu 박막의 미세구조

고찰

5. 참고문헌

본문내용

1. 실험 목적

- 전자제품(반도체,display)에 전기배선 재료로 사용되는 Al이 있다. 하지만 최근의 경향이 고집적화, 대면적화로 진행됨에 따라 전기배선재료로 Cu가 각광을 받고 여러 방면에서 연구를 진행하고 있다. 기존의 전기배선 재료 Al의 bulk 비저항 2.7μΩ-㎝에 비해 Cu는 bluk 비저항이 1.67μΩ-㎝ 로 매우 낮으며 이러한 특성으로 인해 RC delay에 따른 신호지연 및 응답속도 차이를 극복하는데 이용할 수 있는 좋은 재료이다.
본 실험에서는 이러한 Cu 박막의 전기적 특성에 영향을 미치는 인자들에 대한 실험을 진행하고자 한다.

2. 이론적 배경

1) Sputtering의 원리
* sputter의 원리
sputtering은 진공도가 일정수준에 이르면 진공 chamber내로 불활성기체(Ar)을 주입하고 전장을 인가하면 Glow Discharge가 형성된다. 이러한 글로우 방전(Glow Discharge)을 이용하여 Ion을 형성하고, 이를 전자기장으로 가속하여 타겟 물질인 고체 표면에 충돌시킨다. 이때 내부의 원자와 분자들이 운동량 교환을 통해 표면 밖으로 튀어나오게 된다. 이러한 현상을 "Sputtering 현상" 이라고 한다. [ Glow discharge - 압력이 100～103 Pa 정도되는 진공 내의 두 개의 전극 간에 고전압을 걸어주었을 때, 양전극에 생기는 방전현상. 튀어나온 secondary electron이 Ar과 충돌해서 ionization시켜서 Ar+를 만들거나 Ar* 을 만들고 Ar* 이 ground state로 떨어지면서 빛을 낸다. (glow discharge)

참고 자료

⑴ 신소재 기초실험Ⅰ 매뉴얼, 국민대학교
⑵ Elements of X-Ray Diffraction - B.D. Cullity, S.R. Stock, 고태경 역
⑶ 고체전자공학(2001) - STREETMAN 저, 곽계달, 김성준, 전국진 역
⑷ 재료과학과 공학, 제 7판, 박인규, 이재갑 외, 시그마 프레스
⑸ Copper-Fundamental Mechanisms for Microelectronic Applications
- Shyam P. Murarka, Igor V. Verner, Ronald K. Gutmann
⑹ http://100.naver.com/100.nhn?docid=81826