[공업화학실험] 식각실험 예비보고서
- 최초 등록일
- 2010.07.23
- 최종 저작일
- 2010.07
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소개글
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목차
1. 실험제목
2. 실험목적
3. 실험내용
4. 실험절차
5. 실험이론
(1) 플라즈마 (Plasma) 란?
(2) Lithography 란?
(3) 반도체 제조 공정과 정의 (각각의 단일 공정을 개략적으로)
(4) 식각(etching)의 종류와 정의 (식각 장비의 종류와 원리를 중점적으로)
(5) PN 접합이란?
(6) 박막의 식각 및 증착 공정을 활용한 소자들에 대한 원리와 구조
(7) 화학공학전공자가 반도체 산업에서 필요한 이유 (자신의 생각을 첨부하여)
6. 참고자료 (상세히 작성)
본문내용
1. 실험제목
SiO2 박막의 식각 및 PR 제거
2. 실험목적
여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세가지 공정으로 나뉘어 지
는데 첫째로 증착공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나뉘어 진다. 이러한 공정 가
운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. 본 실
험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른
박막의 표면과 두께의 변화등에 대하여 고찰하고자 한다.
3. 실험내용
가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온
식각장치(reactive ion etcher; RIE)를 이용하여 식각한다. 식각 전후의 산화막의 색깔 변화를 관찰하여 식각
된 두께를 측정하고 식각에 의하여 형성된 패턴의 모양을 관찰한다.
4. 실험절차
(1) 산화막(SiO2)의 패터닝(patterning) - Lithography 공정 (조교가 수행)
(2) 패턴된 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
(3) 패턴된 산화막을 반응성 이온 식각장치를 사용하여 적절한 식각가스와 파워를 선택하여
식각 실험을 진행한다.
(4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
(5) 마스크 패턴의 제거 (O2 plasma ashing) - 플라즈마 애슁장치를 이용하여 산소플라
즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다.
(6) 마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
참고 자료
- 집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정, 홍릉과학출판사, 정황근외 2명 저, 1993, 189~204page
- 삼성 SDI 홈페이지(http://www.samsungsdi.co.kr/) : OLED 개요.
- (기초) 반도체소자 Greg parker 저, 김종성 역, 대웅, 1996
- 플라즈마 물리공학 2006, 박덕규 저, 녹문당, 1~4page
- 반도체 공학, 류상렬외 2명 공저, 형성출판사, 140~143page, 2003
- 반도체 공학, 강기성 외2명 공저, 한올출판사, 77~82page1997
- 반도체 공정개론, 이상렬외 2명 공역 Richard C.jaeger 39page
- 반도체 공정기술, 372~377, 황호정 저, 1999, 생능출판사