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[물리전자] capacitance-voltage 특성

*경*
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최초 등록일
2002.05.24
최종 저작일
2002.05
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목차

1.원리
2.C-V 곡선
3. Qm(유동 전하)의 측정 : HTB 처리하면서 C-V 측정
4. 계면 포획전하
5. PN 접합과 Schottky 장벽

본문내용

2.C-V 곡선
v Ramp 전압
Ø 산화막 파괴가 일어나지 않을 정도로 충분히 높은 전압
v 순서
Ø 축적에서 반전으로 재고 다시 반전에서 축적으로 그린다.
Ø 반전은 minority carrier에 의한 것으로 반전층의 형성과
평형상태로의 복구에 시간이 걸리게 된다.(빛이 필요)
Ø 산화막의 이력현상 check
......

참고 자료

없음

태그

#캐패시턴스#C-V특성#바이어스#MOS-FET

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