FET(Field Effect Transistor)

소개글

FET(Field Effect Transistor)

목차

1. Title
2. Name
3. Abstract
4. Background
5. Simulation
6. Experimental Results
7. Analysis
8. Conclusion
9. References

본문내용

1. Title
FET(Field Effect Transistor)
2. Name

3. Abstract
FET는 1개의 캐리어에 의해 동작되는 트랜지스터로서 접합형인 JFET 와 금속산화 반도체형인 MOSFET의 두 종류가 있다. FET는 드레인, 게이트 소스의 단자로 구성되어있으며 드레인 전류가 게이트와 소스사이의 전압에 의해 제어된다. FET는 트랜지스터에 비해 고입력 임피던스를 가지며 MOSFET 는 JFET에 비해 높은 입력 임피던스를 가지고 있다. 이번 실험에서는 FET의 전압-전류 특성과 FET 증폭회로의 이해, 그리고 스위칭 특성을 이용하여 INVERTER 로의 응용을 증명해본다.

4. Background
1) FET 구조와 동작
(1) FET의 종류
① FET는 접합형과 절연 게이트형(MOS형)이 있고, 절연 게이트형은 증가형과 공핍형으로 나눌 수 있으며 각각 n채널형과 p채널형으로 나뉜다.
② FET는 3단자 소자인데 각각의 단자의 이름은 드레인(D:drain), 소스(S:source) 및 게이트 (G:gate) 이다
(2) 접합형 FET에 흐르는 전류
① 전류-전압 특성
☞ 가 작을 때 는 이 비례하나, 가 어느값 이상 커지면 는 에 그다지 영향을 받지 않고 포화되어 에 의해 크게 변화한다.
② FET 내부에서의 전자 움직임
- 공핍층(depletion layer) : pn접합면에는 역전압이 가해져 있으므로 접합면 가까이의 자유 전자가 없는 영역.
- 채널(channel) : n형 반도체 내에서 공핍층을 제외한 영역은 에 의해 자유 전자가 이동하는 영역.
- 를 가할 경우 : =0V일 때는 공핍층은 에 의한 것이었지만, 를 증가시키면 그 전압이 역방향 전압이므로, =0V일 때보다 공핍층이 넓어져 같은 일지라도 는 작아진다.

참고 자료

1. 참고 서적
전자회로 실험 도서출판 그린 조동욱
전자회로 보문당 허찬욱

2. 참고 웹사이트
- http://www.alldatasheet.co.kr

3. Data sheet, 참고 자료, 데이터 용지 등